Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (38)
IRF8736TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 18A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 4.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 2315пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
16 382 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 23,96
IRF8788TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 24А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 2.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 5720пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
6 805 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 87,91
IRFH5300TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 40A 8-Pin PQFN EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 1.4 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 7200пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
6 968 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 61,38
Акция IRLR8256TRPBF Транзистор полевой N-канальный 25В 81A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 81A Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм Мощность макс.: 63Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 1470пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
823 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 22,59
IRLR8726TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 86A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 86A Сопротивление открытого канала: 5.8 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 2150пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
19 456 шт

Под заказ:
9 700 шт
Аналоги:
9 897 шт
Цена от:
от 12,74
IRF7862TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 21A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 4090пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
50 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 69,72
IRF8714TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 14А 2,5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 1020пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
4 821 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 39,27
IRFHS8242TRPBF Транзистор полевой N-канальный 25В 9.9A 6-Pin PQFN EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN6-(2x2) Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 9.9A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 10.4нКл Входная емкость: 653пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
155 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 38,78
IRFML8244TRPBF Транзистор полевой N-канальный 25В 5.8А 1.25Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro3™ (SOT-23) Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 1.25Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 5.4нКл Входная емкость: 430пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
8 928 шт

Под заказ:
2 600 шт
Аналоги:
31 628 шт
Цена от:
от 13,28
IRFTS8342TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 8.2А 2Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: 6-TSOP Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.2A Сопротивление открытого канала: 19 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 4.8нКл Входная емкость: 560пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
871 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 35,49
IRLB3813PBF Транзистор полевой N-канальный 30В 260А 230Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 260A Сопротивление открытого канала: 1.95 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 8420пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
236 шт

Под заказ:
82 шт
Цена от:
от 93,62
IRLB8721PBF Транзистор полевой N-канальный 30В 62А 65Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 62A Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм Мощность макс.: 65Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 1077пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
495 шт

Под заказ:
980 шт
Цена от:
от 87,18
IRLB8743PBF Транзистор полевой N-канальный 30В 78A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 78A Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 54нКл Входная емкость: 5110пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
338 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 86,93
IRLB8748PBF Транзистор полевой N-канальный 30В 78А 75Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 78A Сопротивление открытого канала: 4.8 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 2139пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
495 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 59,10
IRLR8743TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 160А 135Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 4880пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
4 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 68,93
IRLU8743PBF Транзистор полевой N-канальный 30В 160А 135Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 4880пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
256 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 124,80
IRF6727MTRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 32A 7-Pin Direct-FET MX лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MX Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 1.7 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 6190пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF7862PBF Транзистор полевой N-канальный 30В 21А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 4090пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
50 шт
Цена от:
от 69,72
IRF8252PBF Транзистор полевой N-канальный 25В 25А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 2.7 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 53нКл Входная емкость: 5305пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF8707PBF Транзистор полевой N-канальный 30В 11А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 11.9 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 9.3нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"