Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)

Тип монтажа

Chassis Mount(1)
Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (233)

BSS84-7-F Транзистор полевой P-канальный 50В 130мА, 0.3Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 130мА Сопротивление открытого канала: 10 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Входная емкость: 45пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

162 923 шт

Цена от:

от 1,53₽

BSS84LT1G Транзистор полевой P-канальный 50В 130мА, 0.225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 130мА Сопротивление открытого канала: 10 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Входная емкость: 30пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

162 923 шт

Цена от:

от 1,53₽

BSS84W-7-F Транзистор полевой P-канальный 50В 0.13A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 130мА Сопротивление открытого канала: 10 Ом Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Входная емкость: 45пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BST82,235 Транзистор полевой N-канальный 100В 190мА, 0.83Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 190мА Сопротивление открытого канала: 10 Ом Мощность макс.: 830мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Входная емкость: 40пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 573 шт

Цена от:

от 13,71₽

BSZ060NE2LS Полевой транзистор N-канальный 25В 12A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 9.1нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSZ088N03MSGATMA1 Полевой транзистор N-канальный 30В 11A 8-Pin TSDSON EP Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TSDSON-8 (3.3x3.3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 2100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSZ0902NSATMA1 Транзистор полевой N-канальный 30В 21A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BTS244ZE3043AKSA2 Транзистор полевой N-канальный 55В 35A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-5 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Temperature Protection Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2660пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BTS282ZE3180AATMA2 Транзистор полевой N-канальный 49В 80A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 49В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Temperature Protection Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 232нКл Входная емкость: 4800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BTS282ZE3230AKSA2 Полевой транзистор, N-канальный, 49 В, 80 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-7 Напряжение исток-сток макс.: 49В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Temperature Protection Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 232нКл Входная емкость: 4800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

BUK9212-55B,118 Транзистор полевой N-канальный 55В 75A Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 3519пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK92150-55A,118 Полевой транзистор N-канальный 55В 11A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 36Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 338пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9226-75A,118 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 45 А Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 45A Сопротивление открытого канала: 24.6 мОм Мощность макс.: 114Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Входная емкость: 3120пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9230-100B,118 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 47 А Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 3805пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9237-55A,118 Транзистор полевой N-канальный 55В 32A Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 77Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 17.6нКл Входная емкость: 1236пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9240-100A,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 33A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 38.6 мОм Мощность макс.: 114Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Входная емкость: 3072пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9277-55A,118 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 18 А Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 69 мОм Мощность макс.: 51Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 643пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9640-100A,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 39A Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 39A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 158Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 3072пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK964R4-40B,118 Транзистор полевой N-канальный 40В 174A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 254Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 64нКл Входная емкость: 7124пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

BVSS84LT1G Транзистор полевой P-канальный 50В 130мА, 0.225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 130мА Сопротивление открытого канала: 10 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 2.2нКл Входная емкость: 36пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"