Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (50)

IPW60R099CPFKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 31А 255Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 99 мОм Мощность макс.: 255Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 2800пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

47 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 807,42₽

IPW90R120C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 900В 36A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO247 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 417Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 6800пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

150 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 1 421,92₽

IPW90R340C3FKSA1 Транзистор полевой N-канальный 900В 15A 340мОм TO247-3 Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 340 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 94нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

48 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 652,00₽

AO4425 Полевой транзистор P-канальный 38В 14A 8-Pin SOIC Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 38В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 3800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AOD403 Полевой транзистор P-канальный 30В 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 5300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BS250P Транзистор полевой P-канальный 45В 230мА, 0.7Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 45В Ток стока макс.: 230мА Сопротивление открытого канала: 14 Ом Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Входная емкость: 60пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

CSD18537NKCS Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: Texas Instruments Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 1480пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

CSD18537NQ5AT Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 1480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FCD380N60E Транзистор полевой N-канальный 600В 10А 106Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 106Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCD600N60Z Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.4A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 89Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1120пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCD900N60Z Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 4.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 720пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCH041N60E Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 77 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 77A Сопротивление открытого канала: 41 мОм Мощность макс.: 592Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 380нКл Входная емкость: 13700пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCPF190N60E Полевой транзистор, N-канальный, 600 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20.6A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 82нКл Входная емкость: 3175пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPA50R140CPXKSA1 Транзистор полевой N-канальный 550В 23A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 34Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 64нКл Входная емкость: 2540пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPA50R190CEXKSA2 Полевой транзистор N-канальный 500В 24.8A туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 18.5A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 32Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Super Junction Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 47.2нКл Входная емкость: 1137пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPA60R099C6XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 37.9A Сопротивление открытого канала: 99 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 119нКл Входная емкость: 2660пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPA60R160C6XKSA1 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 23.8 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 23.8A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 34Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 75нКл Входная емкость: 1660пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPA60R199CPXKSA1 Полевой транзистор N-канальный 600В 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 199 мОм Мощность макс.: 34Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 1520пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPA60R750E6XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 27Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 17.2нКл Входная емкость: 373пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPA60R950C6XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 950 мОм Мощность макс.: 26Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"