Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (48)
Акция STP21NM60ND Транзистор полевой N-канальный 600В 17А 140Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
153 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 127,58
IRF7822TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 18А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 5500пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 061 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 58,72
IRFZ44EPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 48А 110Вт, 0.023 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 48A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1360пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
813 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 120,60
IRFZ44ESTRLPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 48А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 48A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1360пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
105 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 109,84
IRL2203NPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 100А 130Вт, 0.007 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 116A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 3290пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
3 696 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 65,86
SPA11N60C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 11А 34Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 33Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
288 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 358,50
SPP11N60C3XKSA1 Транзистор полевой 600В 11A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
148 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 367,70
STB55NF06T4 Транзистор полевой N-канальный 60В 50А 110Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 078 шт

Под заказ:
200 шт
Цена от:
от 97,90
STP26NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 20А 140Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
57 шт

Под заказ:
7 шт
Цена от:
от 190,03
STP55NF06 Транзистор полевой N-канальный 60В 55А 150Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
50 шт

Под заказ:
2 790 шт
Цена от:
от 50,71
STW26NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 20А 140Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
400 шт

Под заказ:
10 шт
Цена от:
от 158,20
AUIRL3705ZS Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2880пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDA18N50 Транзистор полевой N-канальный 500В 19A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 265 мОм Мощность макс.: 239Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2860пФ Тип монтажа: Through Hole
FDA24N40F Транзистор полевой N-канальный 400В 23А 235Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 235Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 3030пФ Тип монтажа: Through Hole
FDA38N30 Транзистор полевой N-канальный 300В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 312Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Through Hole
FDD8444L_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 50 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 5.2 мОм Мощность макс.: 153Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 5530пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD8896 Транзистор полевой N-канальный 30В 85А 80Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2525пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMS86103L Транзистор полевой N-канальный 100В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 3710пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция FDP18N50 Транзистор полевой N-канальный 500В 18А 235Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 265 мОм Мощность макс.: 235Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2860пФ Тип монтажа: Through Hole
FDPF18N50T Транзистор полевой N-канальный 500В 18A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 265 мОм Мощность макс.: 38.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2860пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"