Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (21)

Акция

STP45NF06 Транзистор полевой N-канальный 60В 38А 80Вт, 0.028 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 980пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

523 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 44,49₽

IRF9530NSTRLPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 14A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

300 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 63,76₽

IRFH9310TRPBF Транзистор полевой P-канальный 30В 21A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 5250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

702 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 88,54₽

Акция

IRFR5410PBF Транзистор полевой P-канальный 100В 13А 66Вт, 0.205 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 205 мОм Мощность макс.: 66Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

1 400 шт

Аналоги:

22 342 шт

Цена от:

от 41,63₽

IRFR5410TRPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 13A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 205 мОм Мощность макс.: 66Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

7 299 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

10 544 шт

Цена от:

от 35,54₽

AUIRFR5410 Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 13 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 205 мОм Мощность макс.: 66Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86101A Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 13 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 4120пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQA10N80C_F109 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом Мощность макс.: 240Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 2800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA9N90C_F109 Транзистор полевой N-канальный 900В 9А 280Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 2730пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP9N90C Транзистор полевой N-канальный 900В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 205Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 2730пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF9N90CT Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 68Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 2730пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF9530NPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 14А 79Вт, 0.2 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF9530NSPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 14А 79Вт, 0.2 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

300 шт

Цена от:

от 63,76₽

IRFU5410PBF Транзистор полевой P-канальный 100В 13A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 205 мОм Мощность макс.: 66Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHB12N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 147Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 937пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHF12N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 33Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 937пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHG14N50D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 14 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 1144пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHP12N60E-GE3 Транзистор полевой N-канальный 600В 12A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 147Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 937пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHP14N50D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 14 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 1144пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STB45NF06T4 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 38 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 980пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"