Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (55)
IRF9Z34NPBF Транзистор полевой P-канальный 55В 19А 68Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 68Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
18 354 шт

Под заказ:
4 490 шт
Цена от:
от 25,77
IRLML2030TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 2.7А 1.3Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 1нКл Входная емкость: 110пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
40 422 шт

Под заказ:
14 000 шт
Аналоги:
60 103 шт
Цена от:
от 11,38
IRF9Z34NSTRLPBF Транзистор полевой P-канальный 55В 19A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
3 784 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 69,16
IRFB23N20DPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 24А 170Вт, 0.1 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
61 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 338,92
IRFH5025TRPBF Транзистор полевой N-канальный 250В 3.8A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 2150пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
976 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 129,71
IRL530NPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 17А 79Вт, 0.1 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
874 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 247,95
IRL530NSTRLPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 17A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 459 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 84,39
IRLMS1503TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 3.2A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TSOP-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9.6нКл Входная емкость: 210пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
879 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 29,30
Акция STN3NF06L Транзистор полевой N-канальный 60В 4А 3.3Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
138 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 46,53
STP16NF06 Транзистор полевой N-канальный 60В 16A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 315пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
6 шт

Под заказ:
50 шт
Цена от:
от 91,57
STW45NM50 Транзистор полевой N-канальный 500В 45А 417Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 45A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 417Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 117нКл Входная емкость: 3700пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 шт

Под заказ:
106 шт
Цена от:
от 1 285,47
DMP2160UW-7 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Входная емкость: 627пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD5614P Транзистор полевой P-канальный 60В 15A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 759пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMC5614P Транзистор полевой P-канальный 60В 5.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1055пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDN5630 Транзистор полевой N-канальный 60В 1.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDT86113LZ Транзистор полевой N-канальный 100В 3.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 6.8нКл Входная емкость: 315пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция FQD19N10LTM Транзистор полевой N-канальный 100В 15.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-252-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 15.6A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD19N10TM Транзистор полевой N-канальный 100В 15.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 15.6A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 780пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQPF19N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 13.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13.6A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 780пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF9Z34NSPBF Транзистор полевой P-канальный 55В 19А 68Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
3 784 шт
Цена от:
от 26,91
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"