Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (51)

IRFBC40STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 6.2A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFD9110PBF Транзистор полевой P-канальный 100В 700мА Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 700мА Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFIBC40GPBF Транзистор полевой N-канальный 600В 3.5А 40Вт, 1.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFL9110PBF Транзистор полевой P-канальный 100В 1.1А 3.1Вт, 1.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.1A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFL9110TRPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 1.1А 3.1Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.1A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFPC40PBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 6.8 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.8A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFPE50PBF Транзистор полевой N-канальный 800В 7.8А 190Вт, 1.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 7.8A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 3100пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR9110PBF Транзистор полевой P-канальный 100В 3.1A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR9110TRLPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 3.1A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR9110TRPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 3.1A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFU9110PBF Транзистор полевой P-канальный 100В 3.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NDF06N60ZG Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.1A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 47нКл Входная емкость: 1107пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

RZM002P02T2L Транзистор полевой P-канальный 20В 0.2A VMT3 Производитель: ROHM Корпус: VMT3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 150мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.2V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 1.4нКл Входная емкость: 115пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1013R-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 0.35A 3-Pin SC-75A лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SC-75 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 350мА Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 150мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 450mВ Заряд затвора: 1.5нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

SI2325DS-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 150В 530мА Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 530мА Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2325DS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 150В 530мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 530мА Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB6N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 232пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STB6N62K3 Транзистор полевой N-канальный 620В Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 620В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 875пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB6NK60ZT4 Транзистор полевой N-канальный 600В 6А 110Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 905пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD6N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 232пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"