Одиночные MOSFET транзисторы

25
Сопротивление открытого канала: 20 мОм
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (25)
AOD442 AOD442 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 38А
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.7В
Заряд затвора:
68нКл
Входная емкость:
2300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
315 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 30,24
AUIRF4905 AUIRF4905 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 74A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
74A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
3400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
215 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 333,90
FDS4435BZ FDS4435BZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.8А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1845пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
628 шт

Внешние склады:
3 320 шт
Цена от:
от 19,32
IRF4905PBF IRF4905PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 74А 200Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
74A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
3400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
8 447 шт

Внешние склады:
15 855 шт
Аналоги:
2 347 шт
Цена от:
от 33,84
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 42А 170Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
11 195 шт

Внешние склады:
14 906 шт
Цена от:
от 47,16
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 10А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
92нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
14 442 шт

Внешние склады:
11 396 шт
Аналоги:
28 406 шт
Цена от:
от 20,04
IRFB4127PBF IRFB4127PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 76А, 375Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
76A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
5380пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
646 шт

Внешние склады:
10 581 шт
Цена от:
от 44,34
DMN2020LSN-7 DMN2020LSN-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6.9A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SC-59-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6.9A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
610мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
11.6нКл
Входная емкость:
1149пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 880 шт
Цена от:
от 7,32
FDD6685 FDD6685 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 11A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
1715пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 61,86
FDMC4435BZ FDMC4435BZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MLP (3.3x3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
2045пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 70,32
FDMS4435BZ FDMS4435BZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
47нКл
Входная емкость:
2050пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 51,84
IRF4905LPBF IRF4905LPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
111 шт
Цена от:
от 227,16
NDP6060L NDP6060L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 48A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
48A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
79 шт
Цена от:
от 255,96
SIA449DJ-T1-GE3 SIA449DJ-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
19Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
2140пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 444 шт
Цена от:
от 17,40
STD35NF06T4 STD35NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 34,08
AUIRFI4905 AUIRFI4905 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 74A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
74A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
3400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDD6612A FDD6612A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
9.5A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9.4нКл
Входная емкость:
660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FDS4435 FDS4435 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.8А 2.5Вт (рекомендуемая замена: FDS4435BZ)
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
1604пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 948 шт
Цена от:
от 19,32
FDS5680 FDS5680 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF4905SPBF IRF4905SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 42А 170Вт, 0.02 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
26 101 шт
Цена от:
от 47,16
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.45924 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"