8 800 1000 321 - контакт центр

FDS4435, Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 8.8 А, 2.5 Вт (Recommended replacement: FDS4435BZ)

Obsolete
  • FDS4435

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ON Semiconductor

Описание

Field-effect transistor, P-channel, 30 V, 8.8 A, 2.5 W (Recommended replacement: FDS4435BZ)

Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 8.8 А, 2.5 Вт (Recommended replacement: FDS4435BZ)

Документация

DataSheet
Код товара: 197690
Дата обновления: 18.12.2018 20:30
Цена за 1шт: 37.64 руб.
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
от 172 шт: 26.010 руб.
от 86 шт: 27.820 руб.
от 43 шт: 30.480 руб.
от 22 шт: 33.830 руб.
от 1 шт: 37.640 руб.
468 штНа складе1 шт.6 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
SOIC-8
Нормоупаковка
400 шт.
Тип упаковки
Туба/Лента
Вес нетто
0.25 г
Сопротивление открытого канала

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
468 шт.
Интернет-магазин
468 шт.

Рекомендуемые аналоги

Название Производитель Корпус Со склада Под заказ
Цена руб. от Количество Цена руб. от Количество
FDS4435BZ
ONSSO825.4110013.15230000

C этим товаром покупают:

Транзисторы
IRF7413ZPBF
Цена от
23.76 руб.
Микросхемы
SG6841SZ
Цена от
29.26 руб.
Устройства защиты
FDS4435 - SOIC-8
Цена от
21.89 руб.
Микросхемы
NJM4558D
Цена от
8.78 руб.

Поделиться:
сообщение об ошибке