8 800 1000 321 - контакт центр

FDS4435BZ, Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 8.8 А, 2.5 Вт

  • FDS4435BZ

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ON Semiconductor

Описание

Field-effect transistor, P-channel, 30 V, 8.8 A, 2.5 W

Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 8.8 А, 2.5 Вт

Документация

DataSheet
Справочная информация
Код товара: 197691
Дата обновления: 16.12.2018 19:30
Цена за 1шт: 37.17 руб.
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
от 302 шт: 25.410 руб.
от 151 шт: 27.010 руб.
от 76 шт: 29.360 руб.
от 38 шт: 33.260 руб.
от 1 шт: 37.170 руб.
100 штНа складе1 шт.6 шт.
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 30 000 шт: 14.786 руб.
от 7 500 шт: 15.055 руб.
от 2 500 шт: 15.323 руб.
107 500 шт.10 раб. дн.2 500 шт.2 500 шт.
от 2 500 шт: 13.154 руб.
7 500 шт.15 раб. дн.2 500 шт.2 500 шт.
от 25 000 шт: 17.734 руб.
от 5 000 шт: 18.056 руб.
от 2 500 шт: 18.378 руб.
70 000 шт.28 раб. дн.2 500 шт.2 500 шт.
Показать еще 1 предложений
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
SOIC-8
Нормоупаковка
2500 шт.
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Вес нетто
0.25 г
Напряжение исток-сток макс.
30 В
Ток стока макс.
8.8 А
Сопротивление открытого канала
20 мОм
Мощность макс.
1 Вт
Пороговое напряжение включения макс.
3 В
Заряд затвора
40 нКл
Входная емкость
1845 пФ
Тип монтажа
Поверхностный

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
54 шт.
Интернет-магазин
275100 шт.

Рекомендуемые аналоги

Название Производитель Корпус Со склада Под заказ
Цена руб. от Количество Цена руб. от Количество
FDS4435
ONSSO826.014740.000

C этим товаром покупают:

Индуктивные компоненты
BV EI 481 1120
Цена от
193.85 руб.
Транзисторы
IRF7478PBF
Цена от
24.94 руб.
Индуктивные компоненты
BV EI 541 1123
Цена от
476.40 руб.
Микросхемы
AD8065ARZ-REEL7
Цена от
153.20 руб.

Поделиться:
сообщение об ошибке