Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)

Тип монтажа

Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)
Through Hole(1494)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (30)

Новинка

STT6N3LLH6 Транзистор полевой N-канальный 30В 6A Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 3.6нКл Входная емкость: 283пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

940 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 41,15₽

AON6884 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 34A 8-Pin DFN EP лента на катушке Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 11.3 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 1.6Вт

Сообщить о поступлении

CPC3703CTR Транзистор полевой N-канальный 250ВAвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-89 лента на катушке Производитель: IXYS Corporation Корпус: SOT-89-3 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 360мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Depletion Mode Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CPH6350-TL-W Транзистор полевой P-канальный 30В 6A 6-Pin CPH лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-CPH Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 43 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 4V Drive Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CPH6445-TL-W Полевой транзистор N-канальный 60В 3.5A 6-Pin CPH лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-CPH Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 117 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 4V Drive Заряд затвора: 6.8нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3010LK3-13 Полевой транзистор N-канальный 30В 13.1A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13.1A(Ta),43A(Tc) Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм @ 18А, 10В Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 37нКл @ 10В Входная емкость: 2075пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

DMP3028LK3-13 Транзистор полевой P-канальный 30В 27A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 27A(Tc) Сопротивление открытого канала: 25 мОм @ 7А, 10В Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 250 µA Заряд затвора: 22нКл @ 10В Входная емкость: 1241пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DN2540N8-G Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 170 мА Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SOT-89-3 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 25 Ом Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Depletion Mode Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC5661N_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 763пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD306P Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 6.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1290пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD3670 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 34 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 34A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 2490пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD3706 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 14.7 А, 3.8Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 14.7A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 1882пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5612 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 5.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5614P Транзистор полевой P-канальный 60В 15A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 759пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5670 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 52 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 52A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 73нКл Входная емкость: 2739пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6530A Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 21 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 710пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDD6635 Транзистор полевой N-канальный 35В 59А 0.010 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 35В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6685 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 11 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 1715пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFS6N548 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMS10P02R2G Транзистор полевой P-канальный 20В 8.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 3640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"