Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (95)
IRFL024NTRPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 2.8А 2.1Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18.3нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
12 589 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 50,78
IRLL014NTRPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 2А 2.1Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 230пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
4 324 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 29,14
IRLL024NTRPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15.6нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
3 147 шт

Под заказ:
5 700 шт
Цена от:
от 38,84
IRLL2705TRPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 3.8А 2.1Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
9 256 шт

Под заказ:
5 400 шт
Цена от:
от 30,42
BSS192,115 Транзистор полевой P-канальный 240В 0.2А 1Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Напряжение исток-сток макс.: 240В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 12 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Входная емкость: 90пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 782 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
3 499 шт
Цена от:
от 39,13
IRFL014NTRPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 2.7А, 1.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 190пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
4 346 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 33,22
IRFL024ZTRPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 5,1A 57,5мОм SOT-223 Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 57.5 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
63 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 29,62
IRFL4105TRPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 5,2A 2,1Вт 0,045Ом SOT223 Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 152 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 49,24
IRFL4310TRPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 1.6А 2.1Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 330пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 346 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 33,44
IRLL024ZTRPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 5А 2.8Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 380пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 849 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 50,27
IRLL3303TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 4.6А SOT223 лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.6A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 840пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
531 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 331,24
AO3435 Полевой транзистор P-канальный 20В 2.9A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.9A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 745пФ Тип монтажа: Surface Mount
BSS192,135 Транзистор полевой P-канальный 240В 200мА Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89 (TO-243) Напряжение исток-сток макс.: 240В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 12 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Входная емкость: 90пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
6 281 шт
Цена от:
от 36,91
BSS87,115 Транзистор полевой N-канальный 200В 400мА Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 400мА(Ta) Сопротивление открытого канала: 3 Ом @ 400mА, 10В Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В @ 1mA Входная емкость: 120пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
CSD23202W10 Транзистор полевой P-канальный 12В 2.2A 4DSBGA Производитель: Texas Instruments Корпус: DSBGA4 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.2A(Ta) Сопротивление открытого канала: 53 мОм @ 500mА, 4.5В Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ @ 250 µA Заряд затвора: 3.8нКл @ 4.5В Входная емкость: 512пФ @ 6В Тип монтажа: Surface Mount
FDMS3660AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13A/30A 8-Pin Power 56 EP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A,30A Сопротивление открытого канала: 8 мОм @ 13А, 10В Мощность макс.: 1Вт
FDS2670 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 1228пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDS2672 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.9A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 2535пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDS2734 Транзистор полевой N-канальный 250В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 117 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2610пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция FDS3580 Транзистор полевой N-канальный 80В 7.6А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 7.6A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"