Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)

Тип монтажа

Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)
Through Hole(1494)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (29)

Акция

IRLU3410PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 17A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 105 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

349 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 29,09₽

Акция

IRF3709ZPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 87А 79Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 87A Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 2130пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

256 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 45,76₽

IRFR3711ZTRPBF Транзистор полевой N-канальный 20В 93A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 93A Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.45В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 2160пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

41 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 100,12₽

IRFR3910TRPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 16A 52Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 115 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 543 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

16 шт

Цена от:

от 41,96₽

IRL530NPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 17А 79Вт, 0.1 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

874 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 247,95₽

Акция

IRLR3410TRLPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 105 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 369 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 579 шт

Цена от:

от 43,34₽

IRLR3410TRPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 17A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 105 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 579 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 369 шт

Цена от:

от 37,01₽

Акция

AUIRFR8401 Транзистор полевой N-канальный 40В 100А 79Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 4.25 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

49 шт

Цена от:

от 63,35₽

AUIRFU8401 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A IPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: I-Pak Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.25 мОм @ 60А, 10В Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 500 µA Заряд затвора: 63нКл @ 10В Входная емкость: 2200пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRLR3410 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A(Tc) Сопротивление открытого канала: 105 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 250 µA Заряд затвора: 34нКл @ 5В Входная емкость: 800пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD18537NKCS Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: Texas Instruments Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 1480пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDD8445 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 70 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 4050пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP17P06 Транзистор полевой P-канальный 60В 17A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Новинка

FQP30N06 Транзистор полевой N-канальный 60В 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 945пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQP30N06L Транзистор полевой N-канальный 60В 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB лента Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1040пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPP80N06S407AKSA2 Транзистор полевой N-канальный 60В 80A Aвтомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 7.4 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 4500пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF3709ZSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 87A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 87A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм @ 21А, 10В Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В @ 250 µA Заряд затвора: 26нКл @ 4.5В Входная емкость: 2130пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9530NPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 14А 79Вт, 0.2 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR3709ZPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 86А 79Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 86A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 2330пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR3709ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 86A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 86A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм @ 15А, 10В Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В @ 250 µA Заряд затвора: 26нКл @ 4.5В Входная емкость: 2330пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"