Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)

Тип монтажа

Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)
Through Hole(1494)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (40)

AUIRF6218S Транзистор полевой P-канальный 150В 27А 250Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2210пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

60 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 178,84₽

IRF6218PBF Транзистор полевой P-канальный 150В 27А 250Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2210пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

282 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 192,48₽

IRFB4310ZPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 120А 250Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6860пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

1 708 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 129,12₽

STP21N90K5 Транзистор полевой N-канальный 900В 18.5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 18.5A Сопротивление открытого канала: 299 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 1645пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

134 шт

Под заказ:

350 шт

Цена от:

от 545,12₽

FDB28N30TM Транзистор полевой N-канальный 300В 28A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 129 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP20N50 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 230 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 59.5нКл Входная емкость: 3120пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA46N15 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 50 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3250пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPB180N04S4H0ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 40В 180A Aвтомобильного применения 7-Pin(6+Tab) D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO263-7-3 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 180A Сопротивление открытого канала: 1.1 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 225нКл Входная емкость: 17940пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6218STRLPBF Полевой транзистор, P-канальный, 150 В, 27 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2210пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFB13N50APBF Транзистор полевой N-канальный 500В 14А 250Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 81нКл Входная емкость: 1910пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB3307PBF Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 130 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 130A Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 5150пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFS4310ZPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6860пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4310ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 170нКл @ 10В Входная емкость: 6860пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN030-150B,118 Транзистор полевой N-канальный 150В 55.5A Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 55.5A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 3680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHB24N65E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 24 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 145 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 122нКл Входная емкость: 2740пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHB30N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 29 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHG16N50C-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 16 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 68нКл Входная емкость: 1900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHG20N50C-E3 Транзистор полевой N-канальный 500В 20A Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 76нКл Входная емкость: 2942пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHG24N65E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 24 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 145 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 122нКл Входная емкость: 2740пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHG30N60E-GE3 Транзистор полевой N-канальный 600В 29A Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"