Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

2191
Производитель: Infineon Technologies
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (2191)
IRF8910TRPBF IRF8910TRPBF Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 10 А, 2Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
10А
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
925 шт

Внешние склады:
1 880 шт
Цена от:
от 48,63
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 49А 94Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
49A
Сопротивление открытого канала:
17.5 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1470пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
925 шт

Внешние склады:
900 шт
Цена от:
от 62,56
-6% Акция
IRLMS1902TRPBF IRLMS1902TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.2A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro6[тм](TSOP-6)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.2A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
100 мОм @ 2.2А, 4.5В
Мощность макс.:
1.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ @ 250 µA
Заряд затвора:
7нКл @ 4.5В
Входная емкость:
300пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
923 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 5,73
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3A 8-SOIC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8.3A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
18 мОм @ 8.3А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.9В @ 100 µA
Заряд затвора:
39нКл @ 10В
Входная емкость:
1640пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
920 шт

Внешние склады:
400 шт
Цена от:
от 50,98
Акция
IRFS4410ZTRLPBF IRFS4410ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 97A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
97A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
9 мОм @ 58А, 10В
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 150 µA
Заряд затвора:
120нКл @ 10В
Входная емкость:
4820пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
910 шт

Внешние склады:
90 шт
Цена от:
от 104,98
IRFU5305PBF IRFU5305PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 31А 110Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
909 шт

Внешние склады:
1 450 шт
Цена от:
от 48,63
BSP613PH6327 BSP613PH6327 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.9А 1.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.9A
Мощность макс.:
1.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Наличие:
905 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 34,81
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75А 170Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
9.4 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3270пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
900 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 93,32
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 64А 130Вт, 0.014 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
64A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
81нКл
Входная емкость:
1970пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
900 шт

Внешние склады:
400 шт
Цена от:
от 88,47
Акция
IRF7207TRPBF IRF7207TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.4A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.4A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
780пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
892 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 25,51
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
2930пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
891 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 51,09
IRFB4310PBF IRFB4310PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 130А 300Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
130A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
250нКл
Входная емкость:
7670пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
887 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 99,84
IRFU024NPBF IRFU024NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17А 45Вт, 0.075 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
370пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
884 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 84,71
Акция
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 50А 300Вт, 0.04 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
234нКл
Входная емкость:
4057пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
871 шт

Внешние склады:
700 шт
Цена от:
от 119,63
-6% Акция
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 0.19А 1Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-SOT89
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
0.19A
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Наличие:
860 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 366 шт
Цена от:
от 26,56
Акция
IRFR4105TRPBF IRFR4105TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 27A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
858 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 43,22
IRFB4020PBF IRFB4020PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.9В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
842 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 61,40
BSC028N06LS3G BSC028N06LS3G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 23A 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TDSON-8/ SuperSO8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
23А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
840 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 47,49
IRFS3206TRRPBF IRFS3206TRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
6540пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
835 шт

Внешние склады:
240 шт
Цена от:
от 93,92
-6% Акция
BSS84PWH6327 BSS84PWH6327 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 0.15A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-323
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
0.15A
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Наличие:
827 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 4,03
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies - от 0.61146 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"