- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1203)
IRFM120ATF
Транзистор полевой N-канальный 100В 2.3A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 2.3A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 2.4Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 480пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS450B
Транзистор полевой N-канальный 500В 9.6A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 9.6A
Сопротивление открытого канала: 390 мОм
Мощность макс.: 96Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 113нКл
Входная емкость: 3800пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
![]()
IRFS630B
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 5.9 А, 35 Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
IRFS630B
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 5.9 А, 35 Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Акция
![]()
IRFS644A
Транзистор полевой N-канальный 250В 7.9А 43Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
IRFS644A
Транзистор полевой N-канальный 250В 7.9А 43Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
IRL640A
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 18 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 56нКл
Входная емкость: 1705пФ
Тип монтажа: Through Hole
MCH3475-TL-E
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 1.8 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SMD3
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 1.8A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 800мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Заряд затвора: 2нКл
Входная емкость: 88пФ
Тип монтажа: Surface Mount
MCH3478-TL-W
Полевой транзистор N-канальный 30В 2A 3-Pin MCPH лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 2A
Сопротивление открытого канала: 165 мОм
Мощность макс.: 800мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: ±12В
Заряд затвора: 1.7нКл
Входная емкость: 130пФ
Тип монтажа: Surface Mount
MGSF1N02LT1G
Транзистор полевой N-канальный 20В 750мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT23-3
MGSF1N03LT1G
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 1.6 А, 0.69Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT23-3
MGSF2N02ELT1G
Транзистор полевой N-канальный 20В 2.8A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT23-3
Акция
![]()
MMBF0201NLT1G
Транзистор полевой N-канальный 20В 300мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 300мА
Сопротивление открытого канала: 1 Ом
Мощность макс.: 225мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
Входная емкость: 45пФ
Тип монтажа: Surface Mount
MMBF0201NLT1G
Транзистор полевой N-канальный 20В 300мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 300мА
Сопротивление открытого канала: 1 Ом
Мощность макс.: 225мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
Входная емкость: 45пФ
Тип монтажа: Surface Mount
MMBF170
Транзистор полевой N-канальный 60В 500мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 500мА
Сопротивление открытого канала: 5 Ом
Мощность макс.: 300мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Входная емкость: 40пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 196 шт
Цена от:
от 2,34₽
MMBF170LT1G
Транзистор полевой N-канальный 60В 0.5A, 0.225Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 500мА
Сопротивление открытого канала: 5 Ом
Мощность макс.: 225мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Входная емкость: 60пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 196 шт
Цена от:
от 2,34₽
MMBF2201NT1G
Транзистор полевой N-канальный 20В 300мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-323
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 300мА
Сопротивление открытого канала: 1 Ом
Мощность макс.: 150мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
Входная емкость: 45пФ
Тип монтажа: Surface Mount
MMSF3P02HDR2G
Транзистор полевой P-канальный 20В 5.6A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 5.6A
Сопротивление открытого канала: 75 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 46нКл
Входная емкость: 1400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
MTB50P03HDLT4G
Транзистор полевой P-канальный 30В 50A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 25 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 100нКл
Входная емкость: 4900пФ
Тип монтажа: Surface Mount
MTD3055V
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 12 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 150 мОм
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 500пФ
Тип монтажа: Surface Mount
MTD3055VL
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 12 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 570пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
![]()
MTP2P50EG
Полевой транзистор, P-канальный, 500 В, 2 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 2A
Сопротивление открытого канала: 6 Ом
Мощность макс.: 75Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 27нКл
Входная емкость: 1183пФ
Тип монтажа: Through Hole
MTP2P50EG
Полевой транзистор, P-канальный, 500 В, 2 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 2A
Сопротивление открытого канала: 6 Ом
Мощность макс.: 75Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 27нКл
Входная емкость: 1183пФ
Тип монтажа: Through Hole
MTP3055VL
Транзистор полевой N-канальный 60В 12A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 570пФ
Тип монтажа: Through Hole
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара