Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

1638
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FDC8601 FDC8601 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
109 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
210пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 108,90
FDC86244 FDC86244 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
2.3A
Сопротивление открытого канала:
144 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
345пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 17,28
FDC8884 FDC8884 МОП-транзистор 30В N-Channel PowerTrench МОП-транзистор
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 23,11
FDC8886 FDC8886 MOSFET'S - SINGLE;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 34,93
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
10.5 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
37нКл
Входная емкость:
1840пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 196,60
FDD120AN15A0 FDD120AN15A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
65Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14.5нКл
Входная емкость:
770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 50,20
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ N-Channel 100V 6.8A 14.9W Surface Mount TO-252(DPAK)
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 49,27
FDD16AN08A0 FDD16AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 50A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
47нКл
Входная емкость:
1874пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 247,11
FDD2572 FDD2572 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 29A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
54 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 234,32
FDD2582 FDD2582 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 21A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
66 мОм
Мощность макс.:
95Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1295пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 74,07
FDD3670 FDD3670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 34A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
34A
Сопротивление открытого канала:
32 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
2490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 90,27
FDD3672 FDD3672 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 44А 28 мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 81,80
FDD3682 FDD3682 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
95Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
28нКл
Входная емкость:
1250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 570 шт
Цена от:
от 57,56
FDD3860 FDD3860 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
31нКл
Входная емкость:
1740пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 92,83
FDD390N15ALZ FDD390N15ALZ MOSFET, N-CH, 150V, 26A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:26A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.0334ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.8V;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 76,51
FDD4141 FDD4141 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 10.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
10.8A
Сопротивление открытого канала:
12.3 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
2775пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
7 500 шт
Цена от:
от 25,61
FDD5612 FDD5612 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 5.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5.4A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 184,64
FDD5N50NZTM FDD5N50NZTM N-MOS+D 500V, 4A, 40W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 49,34
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 44,99
FDD6N50TM-WS FDD6N50TM-WS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16.6нКл
Входная емкость:
9400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 80,14
На странице: