- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
1638
Производитель:
ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FCP4N60
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.9A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
16.6нКл
Входная емкость:
540пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCP9N60N
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
385 мОм
Мощность макс.:
88.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1240пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCPF16N60
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
260 мОм
Мощность макс.:
37.9Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
2250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCPF190N60E
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20.6A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
39Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
82нКл
Входная емкость:
3175пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCPF190N65S3R0L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
FCPF22N60NT
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
165 мОм
Мощность макс.:
39Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCPF400N80Z
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
35.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
2350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCPF7N60
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
31Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
920пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCPF7N60NT
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.8A TO-220F
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.8А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
FCPF850N80Z
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
28.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1315пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FCPF9N60NT
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
FDA16N50_F109
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 16.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
16.5A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
205Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1945пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDA50N50
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 48A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
48A
Сопротивление открытого канала:
105 мОм
Мощность макс.:
625Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
137нКл
Входная емкость:
6460пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDA70N20
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 70A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
417Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
3970пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDB0190N807L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
270А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB024N06
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм
Мощность макс.:
395Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
226нКл
Входная емкость:
14885пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB031N08
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3.1 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
220нКл
Входная емкость:
15160пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара