- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1202)
RFD14N05LSM
Транзистор полевой N-канальный 50В 14A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 50В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 40нКл
Входная емкость: 670пФ
Тип монтажа: Surface Mount
RFD14N05LSM9A
Транзистор полевой N-канальный 50В 14A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 50В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 40нКл
Входная емкость: 670пФ
Тип монтажа: Surface Mount
RFD14N05SM9A
Транзистор полевой N-канальный 50В 14A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 50В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 40нКл
Входная емкость: 570пФ
Тип монтажа: Surface Mount
RFD16N05LSM9A
Транзистор полевой N-канальный 50В 16A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 50В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 47 мОм
Мощность макс.: 60Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 80нКл
Тип монтажа: Surface Mount
RFD16N05SM9A
Транзистор полевой N-канальный 50В 16A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 50В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 47 мОм
Мощность макс.: 72Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 80нКл
Входная емкость: 900пФ
Тип монтажа: Surface Mount
RFD16N06LESM9A
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 16 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 47 мОм
Мощность макс.: 90Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 62нКл
Входная емкость: 1350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
RFD3055LE
Транзистор полевой N-канальный 60В 11A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 107 мОм
Мощность макс.: 38Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 11.3нКл
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Through Hole
RFD3055LESM9A
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 11 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 107 мОм
Мощность макс.: 38Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 11.3нКл
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
RFP12N10L
Транзистор полевой N-канальный 100В 12A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 60Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Входная емкость: 900пФ
Тип монтажа: Through Hole
RFP50N06
Транзистор полевой N-канальный 60В 50А 0.022 Ом 131Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 22 мОм
Мощность макс.: 131Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 150нКл
Входная емкость: 2020пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
RFP70N06
Транзистор полевой N-канальный 70А 60В, 150Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 70A
Сопротивление открытого канала: 14 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 156нКл
Входная емкость: 2250пФ
Тип монтажа: Through Hole
SBSS84LT1G
Полевой транзистор P-канальный 50В 0.13A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 50В
Ток стока макс.: 130мА
Сопротивление открытого канала: 10 Ом
Мощность макс.: 225мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 2.2нКл
Входная емкость: 36пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SFP9530
Транзистор полевой P-канальный 100В 10.5A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 10.5A
Сопротивление открытого канала: 300 мОм
Мощность макс.: 66Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 1035пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
SFS9620
Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 3 А, 28 Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Акция
SFS9630
Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 4.4 А, 35 Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
SFT1345-TL-H
Полевой транзистор, P-канальный
Производитель: ON Semiconductor
Тип транзистора: P-канал
Тип монтажа: Surface Mount
SI3443DV
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 4.4 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Micro6[тм](TSOP-6)
SI4435DY
Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 8.8 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOIC8N
Напряжение исток-сток макс.: 30V
Ток стока макс.: 8.8A
Сопротивление открытого канала: 20 mOhm
Мощность макс.: 1W
Тип транзистора: P-Channel
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3V
Заряд затвора: 24nC
Входная емкость: 1604pF
Тип монтажа: Surface Mount
SMP3003-DL-1E
Полевой транзистор, P-канальный, 75 В, 100 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 100A
Сопротивление открытого канала: 8 мОм
Мощность макс.: 90Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Заряд затвора: 280нКл
Входная емкость: 13400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SSN1N45BTA
Полевой транзистор, N-канальный, 450 В, 500 мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 450В
Ток стока макс.: 500мА
Сопротивление открытого канала: 4.25 Ом
Мощность макс.: 900мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В
Заряд затвора: 8.5нКл
Входная емкость: 240пФ
Тип монтажа: Through Hole
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара