- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
1638
Производитель:
ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FDPF5N50T
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
28Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
640пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF7N60NZ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
1.25 Ом
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
730пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF7N60NZT
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.5А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF8N50NZ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
40.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
735пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF8N50NZU
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6.5A TO-220F
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
6.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом @ 4А, 10В
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
18нКл @ 10В
Входная емкость:
735пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF8N50NZU
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 6.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
FDPF8N60ZUT
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
1.35 Ом
Мощность макс.:
34.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1265пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDS2572
MOSFET N-канал 150В/4.9A/0.047 Oм, диод, серия UltraFET PowerTrench
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
FDS2670
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
130 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
1228пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS3572
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 8.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
8.9A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
1990пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
-6%
Акция
FDS3580
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 7.6А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
7.6A
Сопротивление открытого канала:
29 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS3590
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 6.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1180пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS3692
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.5A автомобильного применения 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
746пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS4141
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 10.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
10.8A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
49нКл
Входная емкость:
2670пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS4410A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
1205пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт
Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
231 шт
Цена от:
от 33,17₽
Акция
FDS4435
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.8А 2.5Вт (рекомендуемая замена: FDS4435BZ)
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
1604пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт
Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
12 420 шт
Цена от:
от 11,91₽
FDS4480
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 10.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
10.8A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
1.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
1686пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS4672A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 11A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
1.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Заряд затвора:
49нКл
Входная емкость:
4766пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS5670
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара