Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics

1126
Производитель: ST Microelectronics
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1126)
STP23N80K5 STP23N80K5 STP23N80K5 Series 800 V, 0.28 Ohm 16 A N-Ch MDmesh™ K5 Power MOSFET - TO-220-3
Производитель:
ST Microelectronics
STP23NM50N STP23NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 17A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1330пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP23NM60ND STP23NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 19.5А 150Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
19.5A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
69нКл
Входная емкость:
2100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP240N10F7 STP240N10F7 MOSFET, N-CH, 100V, 110A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:110A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.00285ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.
Производитель:
ST Microelectronics
STP24N60DM2 STP24N60DM2 Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Производитель:
ST Microelectronics
STP24N60M2 STP24N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 18A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1060пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP24N60M6 STP24N60M6 MOSFET, N-CH, 600V, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:-; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.19ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:-; Power Dissipa
Производитель:
ST Microelectronics
STP25N10F7 STP25N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 25A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
920пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP25N80K5 STP25N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 19.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
19.5A
Сопротивление открытого канала:
260 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP25NM60ND Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 21 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
STP260N6F6 STP260N6F6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
183нКл
Входная емкость:
11400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP270N8F7 STP270N8F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 180A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
180A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
315Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
193нКл
Входная емкость:
13600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP28N60DM2 STP28N60DM2 Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Производитель:
ST Microelectronics
STP28N60M2 STP28N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 24A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
37нКл
Входная емкость:
1370пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP28NM50N STP28NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 21A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
158 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1735пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP28NM60ND STP28NM60ND Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Производитель:
ST Microelectronics
STP2N105K5 STP2N105K5 MOSFET Transistor N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET Transistor in TO-220 package
Производитель:
ST Microelectronics
-5% Акция
STP2N62K3 STP2N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
2.2A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP2N80K5 STP2N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
4.5 Ом
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
3нКл
Входная емкость:
95пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP2N95K5 STP2N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 2A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
105пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics - от 0.7164 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"