Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics

1126
Производитель: ST Microelectronics
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1126)
STP3LN62K3 STP3LN62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
386пФ
Тип монтажа:
Through Hole
-5% Акция
STP3N62K3 STP3N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
385пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP3N80K5 STP3N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9.5нКл
Входная емкость:
130пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP3NK50Z STP3NK50Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2,3А 3,3Ом 45Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
2.3A
Сопротивление открытого канала:
3.3 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±30В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP3NK60Z STP3NK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.4A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
11.8нКл
Входная емкость:
311пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP3NK60ZFP STP3NK60ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.4A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
20Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
11.8нКл
Входная емкость:
311пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP3NK90Z STP3NK90Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
4.8 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22.7нКл
Входная емкость:
590пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP40N60M2 STP40N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 34A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
34A
Сопротивление открытого канала:
88 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
57нКл
Входная емкость:
2500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP40NF03L STP40NF03L MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.022ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V; Power Dissipation
Производитель:
ST Microelectronics
STP40NF10 STP40NF10 Транзистор полевой N-канальный 100В 50A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
STP40NF20 STP40NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 40A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
75нКл
Входная емкость:
2500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP42N60M2-EP STP42N60M2-EP MOSFET, N-CH, 600V, 34A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:34A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.076ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Po
Производитель:
ST Microelectronics
STP42N65M5 STP42N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 33А 190Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
79 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
4650пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP45N10F7 STP45N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 45A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
45A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1640пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP45N40DM2AG STP45N40DM2AG MOSFET, N-CH, 400V, 38A, TO220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:38A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):0.063ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power
Производитель:
ST Microelectronics
Акция
STP45N65M5 STP45N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 35А 208Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
35A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
78 мОм @ 19.5А, 10В
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
91нКл @ 10В
Входная емкость:
3375пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
STP46NF30 STP46NF30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 42А 300Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
3200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP4N52K3 STP4N52K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В 2.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
525В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
2.6 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
334пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP4NK50ZD STP4NK50ZD Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
2.7 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP50N60DM6 STP50N60DM6 MOSFET, N-CH, 600V, 36A, TO-220;
Производитель:
ST Microelectronics
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics - от 0.7164 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"