Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

895
Производитель: Vishay
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (895)
SIHB22N65E-GE3 SIHB22N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 22A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2415пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHB24N65E-GE3 SIHB24N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
145 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
122нКл
Входная емкость:
2740пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHB30N60E-GE3 SIHB30N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHB33N60E-GE3 SIHB33N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 33A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
99 мОм
Мощность макс.:
278Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
3508пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHD3N50D-GE3 SIHD3N50D-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
3.2 Ом
Мощность макс.:
69Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
175пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHD5N50D-GE3 SIHD5N50D-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
5.3A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
325пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHD6N65E-GE3 SIHD6N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
78Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
820пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHF12N60E-GE3 SIHF12N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Full Pack
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
937пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHF12N65E-GE3 SIHF12N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Full Pack
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
1224пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHF15N60E-GE3 SIHF15N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 15A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Full Pack
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
34Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
78нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHF22N60E-GE3 SIHF22N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Full Pack
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
1920пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHF30N60E-GE3 SIHF30N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Full Pack
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
37Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHF5N50D-E3 SIHF5N50D-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Full Pack
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
5.3A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
325пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHF8N50D-E3 SIHF8N50D-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Full Pack
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8.7A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
527пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHFB20N50K-E3 SIHFB20N50K-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А TO220AB
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
20А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
SIHFPS37N50A SIHFPS37N50A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 36А 446Вт, 0.13 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
Super-247
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
36A
Сопротивление открытого канала:
130 мОм
Мощность макс.:
446Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
5579пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
50 шт
Цена от:
от 713,39
SIHFR9220TR-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.6A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA лента на катушке
Производитель:
Vishay
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.6A
Тип транзистора:
P-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHFRC20TR-GE3 SIHFRC20TR-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHG14N50D-GE3 SIHG14N50D-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
1144пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG22N50D-E3 SIHG22N50D-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
230 мОм
Мощность макс.:
312Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
1938пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице: