Сборки MOSFET транзисторов

199
Тип транзистора: 2N-канальный
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (199)
Акция
IRF8313PBF IRF8313PBF Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 30 В, 2W
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
9.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
2 Вт
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
6 994 шт
Цена от:
от 41,72
IRF8513PBF IRF8513PBF Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 8 А/11 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
8 А, 11 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.5 Вт, 2.4 Вт
IRLHS6276TRPBF IRLHS6276TRPBF Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 4.5 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN6-(2x2)
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
4.5 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.5 Вт
NDC7002N NDC7002N Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 50 В, 510 мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
50 В
Ток стока макс.:
510 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 мВт
NDS9945 NDS9945 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 3.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
3.5 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
900 мВт
NTGD3148NT1G NTGD3148NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-TSOP
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
900 мВт
NTHD4502NT1G NTHD4502NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 2.2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ChipFET[тм]
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
2.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
640 мВт
NTHD4508NT1G NTHD4508NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 3 А, 1.13Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ChipFET[тм]
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.13 Вт
NTJD4401NT1G NTJD4401NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 630 мА, 0.55Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
630 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
270 мВт
NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.295 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC70-6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
295 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
250 мВт
NTLJD4116NT1G NTLJD4116NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 2.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-WDFN (2x2)
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
2.5 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
710 мВт
NTMD4840NR2G NTMD4840NR2G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
4.5 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
680 мВт
NTMD4N03R2G NTMD4N03R2G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
4 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
2 Вт
NTMD5838NLR2G NTMD5838NLR2G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 7.4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Ток стока макс.:
7.4 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
2.1 Вт
NTMD6N02R2G NTMD6N02R2G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 3.92 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
3.92 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
730 мВт
NTMD6N03R2G NTMD6N03R2G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
6 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.29 Вт
NTUD3170NZT5G NTUD3170NZT5G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 0.22 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-963
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
220 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
125 мВт
NTZD3154NT1G NTZD3154NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 540 мА, 0.25Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-563-6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
540 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
250 мВт
NTZD5110NT1G NTZD5110NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.294 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-563-6
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
294 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
250 мВт
NVJD4401NT1G NVJD4401NT1G Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 0.63 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
630 мА
Максимальная рассеиваемая мощность:
270 мВт
На странице:

Сборки MOSFET – объединения в одном корпусе МОП-транзисторов. Как правило, они сочетают в себе как N-канальные, так и P-канальные транзисторы, но некоторые конфигурации предусматривают, например, 4 N-канальных или 2 P-канальных транзистора, а также N- и P-канальные полевые транзисторы с общим истоком. Сборки транзисторов могут облегчить проектирование печатной платы, сэкономить её полезную площадь, а также за счёт выполнения в рамках одного технологического процесса обладать очень близкими характеристиками.

Каталог интернет-магазина «Промэлектроника» содержит широкий ассортимент сборок MOSFET: 2N-канальные, 2N+2P-канальные, N- и P-канальные с одинаковым истоком и т.д. Они представлены моделями лучших компаний-производителей электроники: Infineon, ROHM и др.

Купить сборки MOSFET-транзисторов возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Сборки MOSFET транзисторов

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Сборки MOSFET транзисторов в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Сборки MOSFET транзисторов - от 1.27 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Сборки MOSFET транзисторов в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Сборки MOSFET транзисторов в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"