Сборки MOSFET транзисторов Vishay

92
Производитель: Vishay
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Максимальная рассеиваемая мощность
Сборки MOSFET транзисторов (92)
SI3900DV-T1-E3 SI3900DV-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 2 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
830 мВт
SI3932DV-T1-GE3 SI3932DV-T1-GE3 Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 6-Pin TSOP T/R
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
SI3993CDV-T1-GE3 SI3993CDV-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 2.9 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
стандартный
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
2.9 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.4 Вт
SI4202DY-T1-GE3 SI4202DY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 12.1 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
12.1 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.7 Вт
SI4204DY-T1-GE3 SI4204DY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 19.8 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
стандартный
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
19.8 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.25 Вт
SI4214DDY-T1-GE3 SI4214DDY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 8.5 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
8.5 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт
SI4286DY-T1-GE3 SI4286DY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 7 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
стандартный
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Ток стока макс.:
7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
2.9 Вт
SI4288DY-T1-GE3 SI4288DY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 9.2 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Ток стока макс.:
9.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 6 А/4,3 А, 2.78Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
стандартный
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
6 А, 4.3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
2.78 Вт
SI4554DY-T1-GE3 SI4554DY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 40 В, 8 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Ток стока макс.:
8 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт, 3.2 Вт
SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 60 В, 5.3 А, 3.4 Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
5.3 А, 3.9 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт, 3.4 Вт
SI4564DY-T1-GE3 SI4564DY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 40 В, 10 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Ток стока макс.:
10 А, 9.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт, 3.2 Вт
SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 40 В, 6.8 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Ток стока макс.:
6.8 А, 5.8 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3 Вт, 3.1 Вт
SI4804CDY-T1-GE3 SI4804CDY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 8 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
стандартный
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
8 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт
SI4816BDY-T1-E3 SI4816BDY-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 5.8 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
5.8 А, 8.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1 Вт, 1.25 Вт
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 5.8 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
5.8 А, 8.2 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1 Вт, 1.25 Вт
SI4900DY-T1-E3 SI4900DY-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 5.3 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
5.3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт
SI4900DY-T1-GE3 SI4900DY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 5.3 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
5.3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт
SI4904DY-T1-E3 SI4904DY-T1-E3 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 40 В, 8 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
стандартный
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Ток стока макс.:
8 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.25 Вт
SI4909DY-T1-GE3 SI4909DY-T1-GE3 Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 40 В, 8 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Ток стока макс.:
8 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.2 Вт
На странице: