Одиночные IGBT транзисторы

52
Корпус: D2PAK/TO263
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (52)
IRG4BH20K-SPBF IRG4BH20K-SPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 11 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
11 А
Импульсный ток коллектора макс.:
22 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
450 мкДж
IRG4BH20K-STRLP IRG4BH20K-STRLP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 11 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
11 А
Импульсный ток коллектора макс.:
22 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
450 мкДж
Акция
IRGS14C40LPBF IRGS14C40LPBF Биполярный транзистор IGBT, 400 В, 14 А, 125 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
430 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Макс. рассеиваемая мощность:
125 Вт
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
40 шт
Цена от:
от 853,07
IRGS14C40LTRLP IRGS14C40LTRLP Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 20 А, 125 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Наличие:
0 шт.

Внешние склады:
0 шт.
Аналоги:
40 шт.
Цена от:
от 176,36
IRGS30B60KPBF IRGS30B60KPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 78 А, 370 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
78 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
370 Вт
Переключаемая энергия:
350 мкДж
Акция
IRGS4045DPBF IRGS4045DPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
12 А
Импульсный ток коллектора макс.:
18 А
Макс. рассеиваемая мощность:
77 Вт
Переключаемая энергия:
56 мкДж
-5% Акция
IRGS4056DPBF IRGS4056DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 24 А, 140 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
24 А
Импульсный ток коллектора макс.:
48 А
Макс. рассеиваемая мощность:
140 Вт
Переключаемая энергия:
75 мкДж
IRGS4062DPBF IRGS4062DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
48 А
Импульсный ток коллектора макс.:
96 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
115 мкДж
Акция
IRGS4607DPBF IRGS4607DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11 А, 58 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
11 А
Импульсный ток коллектора макс.:
12 А
Макс. рассеиваемая мощность:
58 Вт
Переключаемая энергия:
140 мкДж
IRGS4610DPBF IRGS4610DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 77 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
16 А
Импульсный ток коллектора макс.:
18 А
Макс. рассеиваемая мощность:
77 Вт
Переключаемая энергия:
56 мкДж
IRGS6B60KDPBF IRGS6B60KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 13 А, 90 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
13 А
Импульсный ток коллектора макс.:
26 А
Макс. рассеиваемая мощность:
90 Вт
Переключаемая энергия:
110 мкДж
IRGS8B60KPBF IRGS8B60KPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А, 167 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
28 А
Импульсный ток коллектора макс.:
34 А
Макс. рассеиваемая мощность:
167 Вт
Переключаемая энергия:
160 мкДж
ISL9V5036S3ST ISL9V5036S3ST Биполярный транзистор IGBT, 390 В, 46 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
390V
Макс. ток коллектора:
46A
Макс. рассеиваемая мощность:
250W
ISL9V5045S3ST ISL9V5045S3ST Биполярный транзистор IGBT, 480 В, 51 А, 300 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
480V
Макс. ток коллектора:
51A
Макс. рассеиваемая мощность:
300W
NGB8202ANT4G NGB8202ANT4G Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 150 Вт
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
D2PAK/TO263
NGB8202ANTF4G NGB8202ANTF4G Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 400В 20A D2PAK
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
D2Pak (TO-263)
NGB8245NT4G NGB8245NT4G Биполярный транзистор IGBT, 490 В, 20 А, 150 Вт
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
D2PAK/TO263
RJP30H2ADPE RJP30H2ADPE Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 35 А
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
D2PAK/TO263
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
360V
Макс. ток коллектора:
35A
SGB07N120ATMA1 SGB07N120ATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125000 мВт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
16.5A
Макс. рассеиваемая мощность:
125W
SKB02N120ATMA1 SKB02N120ATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
6.2A
Макс. рассеиваемая мощность:
62W
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"