Одиночные IGBT транзисторы

51
Корпус: TO220
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (51)
Акция
HGTP12N60A4D HGTP12N60A4D Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 54 А, 167 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Акция
HGTP14N36GVL HGTP14N36GVL Биполярный транзистор IGBT, 390 В, 14 А, 100 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
HGTP3N60A4 HGTP3N60A4 IGBT 600V 17A 70W TO220AB
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
HGTP5N120BND HGTP5N120BND Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
IKA08N65F5XKSA1 IKA08N65F5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 10.8 А, 31.2 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
10.8 А
Импульсный ток коллектора макс.:
24 А
Макс. рассеиваемая мощность:
31.2 Вт
Переключаемая энергия:
70 мкДж
IKP06N60TXKSA1 IKP06N60TXKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 12A 88Вт автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
IKP15N65F5XKSA1 IKP15N65F5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 30 А, 105 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
45 А
Макс. рассеиваемая мощность:
105 Вт
Переключаемая энергия:
130 мкДж
IKP15N65H5XKSA1 IKP15N65H5XKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 30A 105Вт PG-TO220-3
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650V
Макс. ток коллектора:
30A
Импульсный ток коллектора макс.:
45A
Макс. рассеиваемая мощность:
105W
Переключаемая энергия:
120 µJ (on), 50 µJ (off)
IKP20N60H3XKSA1 IKP20N60H3XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
40A
Макс. рассеиваемая мощность:
170W
IKP40N65F5XKSA1 IKP40N65F5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255 Вт
Переключаемая энергия:
360 мкДж
IRG4BC40UPBF IRG4BC40UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
320 мкДж
Акция
IRGB14C40LPBF IRGB14C40LPBF Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 20 А, 125 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
430 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Макс. рассеиваемая мощность:
125 Вт
IRGB20B60PD1PBF IRGB20B60PD1PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 215 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
215 Вт
Переключаемая энергия:
95 мкДж
IRGB4064DPBF IRGB4064DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 101 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
101 Вт
Переключаемая энергия:
29 мкДж
Акция
IRGB4610DPBF IRGB4610DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 77 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
16 А
Импульсный ток коллектора макс.:
18 А
Макс. рассеиваемая мощность:
77 Вт
Переключаемая энергия:
56 мкДж
IRGB4615DPBF IRGB4615DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 99 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
23 А
Импульсный ток коллектора макс.:
24 А
Макс. рассеиваемая мощность:
99 Вт
Переключаемая энергия:
70 мкДж
IXGP36N60A3 IXGP36N60A3 TO-220-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
TO-220-3
IXYP20N65C3D1M IXYP20N65C3D1M 50W 18A 650V PT (Punch-Through) TO-220-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
TO-220-3
NGTB15N60S1EG NGTB15N60S1EG Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 117 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
117 Вт
Переключаемая энергия:
550 мкДж
SGP02N120 SGP02N120 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
6.2 А
Импульсный ток коллектора макс.:
9.6 А
Макс. рассеиваемая мощность:
62 Вт
Переключаемая энергия:
220 мкДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"