Одиночные IGBT транзисторы

32
Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (32)
-8% Акция
IGP40N65H5XKSA1 IGP40N65H5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255 Вт
Переключаемая энергия:
390 мкДж
Наличие:
125 шт

Внешние склады:
436 шт
Цена от:
от 202,32
-8% Акция
IKP40N65H5XKSA1 IKP40N65H5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255 Вт
Переключаемая энергия:
390 мкДж
Наличие:
59 шт

Внешние склады:
1 192 шт
Цена от:
от 272,10
IKW40N65H5FKSA1 IKW40N65H5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255 Вт
Переключаемая энергия:
390 мкДж
Наличие:
87 шт

Внешние склады:
13 434 шт
Цена от:
от 148,32
-8% Акция
STGW30H65FB STGW30H65FB Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 30 А, 260 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
260 Вт
Переключаемая энергия:
151 мкДж
Наличие:
60 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 188,70
STGW80H65DFB STGW80H65DFB Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
469 Вт
Переключаемая энергия:
2.1 мДж
Наличие:
90 шт

Внешние склады:
108 шт
Цена от:
от 382,56
FGH75T65UPD FGH75T65UPD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 150 А, 375 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
150 А
Импульсный ток коллектора макс.:
225 А
Макс. рассеиваемая мощность:
375 Вт
Переключаемая энергия:
2.85 мДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 524,52
IGP40N65F5XKSA1 IGP40N65F5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255W
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
789 шт
Цена от:
от 296,70
IGW40N65F5FKSA1 IGW40N65F5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255W
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
240 шт
Цена от:
от 251,22
IGW40N65H5FKSA1 IGW40N65H5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255 Вт
Переключаемая энергия:
390 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
525 шт
Цена от:
от 351,00
IGW50N65H5FKSA1 IGW50N65H5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 305 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
305 Вт
Переключаемая энергия:
520 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
240 шт
Цена от:
от 533,94
IKA08N65H5XKSA1 IKA08N65H5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 10.8 А, 31.2 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
10.8 А
Импульсный ток коллектора макс.:
24 А
Макс. рассеиваемая мощность:
31.2 Вт
Переключаемая энергия:
70 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
400 шт
Цена от:
от 150,00
IKP08N65H5XKSA1 IKP08N65H5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 18 А, 70 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
18 А
Импульсный ток коллектора макс.:
24 А
Макс. рассеиваемая мощность:
70 Вт
Переключаемая энергия:
70 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
500 шт
Цена от:
от 225,06
IKP15N65F5XKSA1 IKP15N65F5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 30 А, 105 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
45 А
Макс. рассеиваемая мощность:
105 Вт
Переключаемая энергия:
130 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
500 шт
Цена от:
от 354,66
IKP40N65F5XKSA1 IKP40N65F5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255 Вт
Переключаемая энергия:
360 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
320 шт
Цена от:
от 467,76
IKW40N65F5FKSA1 IKW40N65F5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255 Вт
Переключаемая энергия:
360 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
648 шт
Цена от:
от 349,02
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 305 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
305 Вт
Переключаемая энергия:
490 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
240 шт
Цена от:
от 299,34
STGW40H65DFB STGW40H65DFB Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 283 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
283 Вт
Переключаемая энергия:
498 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
67 шт
Цена от:
от 233,22
FGH40N65UFDTU FGH40N65UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
290 Вт
Переключаемая энергия:
1.19 мДж
FGH40T65SPD_F155 FGH40T65SPD_F155 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 267 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
267 Вт
Переключаемая энергия:
1.16 мДж
FGH40T65UPD FGH40T65UPD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 268 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
268 Вт
Переключаемая энергия:
1.59 мДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"