Одиночные IGBT транзисторы

131
Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (131)
DG50X07T2 DG50X07T2 TRANS, IGBT, 650V, 100A, 714W, TO-247;
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
DGW30N65CTH 187W 650V TO-247 Single IGBTs RoHS
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
DGW75N65CTS2A 428W 650V TO-247 Single IGBTs RoHS
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
FGA40N65SMD FGA40N65SMD IGBT, 650V, 80A, 175°C, 349W;
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
FGA6560WDF FGA6560WDF Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
FGB40T65SPD-F085 FGB40T65SPD-F085 IGBT, AEC-Q101, N-CH, 650V, 80A, TO263AB; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Power Dissipation Pd:267W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-263AB; No.
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
FGH40N65UFDTU FGH40N65UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
290 Вт
Переключаемая энергия:
1.19 мДж
FGH40T65SPD_F155 FGH40T65SPD_F155 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 267 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
267 Вт
Переключаемая энергия:
1.16 мДж
FGH40T65SQD-F155 FGH40T65SQD-F155 IGBT Transistors 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
FGH40T65UPD FGH40T65UPD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 268 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
268 Вт
Переключаемая энергия:
1.59 мДж
FGH50T65UPD FGH50T65UPD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 100 А, 340 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
100 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
340 Вт
Переключаемая энергия:
2.7 мДж
FGH60T65SHD-F155 IGBT Transistors FS3TIGBT TO247 60A 650V
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
FGH60T65SQD-F155 FGH60T65SQD-F155 IGBT, SINGLE, 650V, 120A, TO-247; DC Collector Current:120A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.6V; Power Dissipation Pd:333W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pin
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
FGH75T65SHDT-F155 FGH75T65SHDT-F155 Bipolar transistors with insulated gate (IGBT) 650V FS3 Trench IGBT
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
FGH75T65SHDTL4 FGH75T65SHDTL4 FS3 T IGBT 75A 650V 4L
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
FGH75T65SQD-F155 FGH75T65SQD-F155 IGBT, SINGLE, N-CH, 650V, 150A, TO-247-3; DC Collector Current:150A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.6V; Power Dissipation Pd:375W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-247; No
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
FGH75T65SQDT-F155 FGH75T65SQDT-F155 FIELD STOP TRENCH IGBT, 650V/150A, TO247; DC Collector Current:150A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.6V; Power Dissipation Pd:375W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-247; No
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
FGH75T65UPD FGH75T65UPD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 150 А, 375 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
150 А
Импульсный ток коллектора макс.:
225 А
Макс. рассеиваемая мощность:
375 Вт
Переключаемая энергия:
2.85 мДж
FGHL40T65MQDT FGHL40T65MQDT TRANSISTOR, IGBT, 650V, 60A, TO-247;
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
FGHL50T65MQDTL4 FGHL50T65MQDTL4 TRANSISTOR, IGBT, 650V, 80A, TO-247;
Производитель:
ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"