Одиночные IGBT транзисторы

182
Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (182)
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 326 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
100 А
Макс. рассеиваемая мощность:
326 Вт
Переключаемая энергия:
2.65 мДж
IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 25А 190Вт [PG-TO-247-3]
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 80A 483Вт TO247-3
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 30A 254Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IHW20N120R5XKSA1 IHW20N120R5XKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 40A 288Вт TO247
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
40A
Импульсный ток коллектора макс.:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
288W
Переключаемая энергия:
750 µJ (off)
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 50A 231Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IHW25N120R2FKSA1 IHW25N120R2FKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 50A 365Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 40A TO-247-3
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 500 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IKQ75N120CS6XKSA1 IKQ75N120CS6XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247-3-46
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
217 Вт
Переключаемая энергия:
1.55 мДж
IKW15T120FKSA1 IKW15T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
30A
Макс. рассеиваемая мощность:
110W
IKW25N120T2 IKW25N120T2 IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IKW50N120CH7XKSA1 IKW50N120CH7XKSA1 IGBT, 1.2KV, 86A, 398W, TO-247
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IKY40N120CS6XKSA1 IKY40N120CS6XKSA1 IGBT, 1.2KV, 80A, 500W, TO-247; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V; Power Dissipation Pd:500W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IRG4BH20K-LPBF IRG4BH20K-LPBF Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 11A 60Вт 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
11A
Импульсный ток коллектора макс.:
22A
Макс. рассеиваемая мощность:
60W
Переключаемая энергия:
450 µJ (on), 440 µJ (off)
IRG4BH20K-SPBF IRG4BH20K-SPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 11 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
11 А
Импульсный ток коллектора макс.:
22 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
450 мкДж
IRG4BH20K-STRLP IRG4BH20K-STRLP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 11 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
11 А
Импульсный ток коллектора макс.:
22 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
450 мкДж
IRG4PH20KDPBF IRG4PH20KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 11 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
11 А
Импульсный ток коллектора макс.:
22 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
620 мкДж
IRG4PH20KPBF IRG4PH20KPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 11 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
11 А
Импульсный ток коллектора макс.:
22 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
450 мкДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"