Одиночные IGBT транзисторы

131
Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (131)
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 IGBT, 650V, 30A, 175DEG C, 105W;
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO263
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 IGBT, SINGLE, 650V, 79A, TO-263; DC Collector Current:79A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.35V; Power Dissipation Pd:230W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. рассеиваемая мощность:
230 Вт
IKP08N65F5XKSA1 IKP08N65F5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 18 А, 70 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
18 А
Импульсный ток коллектора макс.:
24 А
Макс. рассеиваемая мощность:
70 Вт
Переключаемая энергия:
70 мкДж
IKP08N65H5XKSA1 IKP08N65H5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 18 А, 70 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
18 А
Импульсный ток коллектора макс.:
24 А
Макс. рассеиваемая мощность:
70 Вт
Переключаемая энергия:
70 мкДж
IKP15N65F5XKSA1 IKP15N65F5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 30 А, 105 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
45 А
Макс. рассеиваемая мощность:
105 Вт
Переключаемая энергия:
130 мкДж
IKP30N65F5XKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 55A 188Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
IKP40N65F5XKSA1 IKP40N65F5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255 Вт
Переключаемая энергия:
360 мкДж
IKW40N65F5FKSA1 IKW40N65F5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
74 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
255 Вт
Переключаемая энергия:
360 мкДж
IKW50N65EH5XKSA1 IKW50N65EH5XKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 80A 2750Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 305 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
305 Вт
Переключаемая энергия:
490 мкДж
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 80A 282Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
IKW75N65EL5XKSA1 IKW75N65EL5XKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 75A с защитным диодом TO247-3
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
IRGP4263DPBF IRGP4263DPBF Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 90 А, 325 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
90 А
Импульсный ток коллектора макс.:
192 А
Макс. рассеиваемая мощность:
325 Вт
Переключаемая энергия:
2.9 мДж
IRGP4266DPBF IRGP4266DPBF Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 140 А, 455 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
140 А
Импульсный ток коллектора макс.:
300 А
Макс. рассеиваемая мощность:
455 Вт
Переключаемая энергия:
2.5 мДж
IXXH40N65B4 IXXH40N65B4 455W 650V PT (Punch-Through) TO-247 IGBT Transistors / Modules ROHS
Производитель:
Littelfuse
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
IXXH60N65B4 IXXH60N65B4 455W 650V PT (Punch-Through) TO-247AD IGBT Transistors / Modules ROHS
Производитель:
Littelfuse
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
IXXH60N65B4H1 IXXH60N65B4H1 650V TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
Производитель:
Littelfuse
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
IXXH80N65B4 IXXH80N65B4 625W 160A 650V PT (Punch-Through) TO-247 IGBT Transistors / Modules ROHS
Производитель:
Littelfuse
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
IXXK110N65B4H1 IXXK110N65B4H1 880W 650V TO-264 IGBT Transistors / Modules ROHS
Производитель:
Littelfuse
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
IXXK160N65B4 IXXK160N65B4 940W 310A 650V PT (Punch-Through) TO-264 IGBT Transistors / Modules ROHS
Производитель:
Littelfuse
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"