Одиночные IGBT транзисторы

182
Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (182)
IRG7PH46UDPBF IRG7PH46UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 390 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
390 Вт
Переключаемая энергия:
2.61 мДж
IRG7PH46UPBF IRG7PH46UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 130 А, 469 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
130 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
469 Вт
Переключаемая энергия:
2.56 мДж
Акция
IRG7PH50UPBF IRG7PH50UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 140 А, 556 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
140 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
556 Вт
Переключаемая энергия:
3.6 мДж
IRGP20B120U-EP IRGP20B120U-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 300 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AD
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
300 Вт
Переключаемая энергия:
850 мкДж
IRGP30B120KD-EP IRGP30B120KD-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 300 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AD
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
300 Вт
Переключаемая энергия:
1.07 мДж
Акция
IRGPS40B120UDP IRGPS40B120UDP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 595 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Super-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
595 Вт
Переключаемая энергия:
1.4 мДж
Акция
IRGPS40B120UPBF IRGPS40B120UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 595 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Super-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
595 Вт
Переключаемая энергия:
1.4 мДж
IRGPS60B120KDP IRGPS60B120KDP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 105 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Super-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
105 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
595 Вт
Переключаемая энергия:
3.21 мДж
IXA12IF1200HB IXA12IF1200HB 85W 20A 1.2kV PT (Punch-Through) TO-247AD IGBT Transistors / Modules ROHS
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
TO-247AD
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IXA12IF1200PB 85W 20A 1.2kV PT (Punch-Through) TO-220-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
Производитель:
Littelfuse
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IXA37IF1200HJ IXA37IF1200HJ Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 58A 195Вт 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 туба
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
ISOPLUS247[тм]
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IXA45IF1200HB 325W 78A 1.2kV TO-247AD IGBT Transistors / Modules ROHS
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
TO-247AD
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IXA60IF1200NA 290W 88A 1.2kV PT (Punch-Through) SOT-227B IGBT Transistors / Modules ROHS
Производитель:
Littelfuse
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IXA70I1200NA IXA70I1200NA 350W 100A 1.2kV SOT-227B IGBT Transistors / Modules ROHS
Производитель:
Littelfuse
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IXBOD1-12R IXBOD1-12R BREAKOVER DIODE, 1.2KV, RADIAL LEADED;
Производитель:
Littelfuse
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IXGA20N120A3 IXGA20N120A3 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 40A 180Вт TO263
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
TO-263 (IXGA)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
40A
Импульсный ток коллектора макс.:
120A
Макс. рассеиваемая мощность:
180W
Переключаемая энергия:
2.85mJ (on), 6.47mJ (off)
IXGH20N120A3 IXGH20N120A3 IGBT,1200V,20A,TO-247; DC Collector Current:40A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.5V; Power Dissipation Pd:180W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247AD; No. of Pins:3Pins;
Производитель:
Littelfuse
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IXGH30N120B3D1 IXGH30N120B3D1 300W 1.2kV PT (Punch-Through) TO-247AD IGBT Transistors / Modules ROHS
Производитель:
Littelfuse
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1 IGBT, SINGLE, 1.2KV, 75A, TO-247; DC Collector Current:75A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.9V; Power Dissipation Pd:380W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pin
Производитель:
Littelfuse
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
IXGH40N120C3 IXGH40N120C3 380W 75A 1.2kV PT (Punch-Through) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
Производитель:
Littelfuse
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"