Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

357
Производитель: Infineon Technologies
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (357)
Акция
IRG4PC50FPBF IRG4PC50FPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
70 А
Импульсный ток коллектора макс.:
280 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
370 мкДж
IRG4PC50KDPBF IRG4PC50KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 52 А, 104 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
52 А
Импульсный ток коллектора макс.:
104 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
1.61 мДж
IRG4PC50KPBF IRG4PC50KPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 52 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
52 А
Импульсный ток коллектора макс.:
104 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
490 мкДж
Акция
IRG4PC50SPBF IRG4PC50SPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
70 А
Импульсный ток коллектора макс.:
140 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
720 мкДж
Акция
IRG4PC50UDPBF IRG4PC50UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 55 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
55 А
Импульсный ток коллектора макс.:
220 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
990 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
340 шт
Цена от:
от 136,09
IRG4PC50UPBF IRG4PC50UPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 55 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
55 А
Импульсный ток коллектора макс.:
220 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
120 мкДж
IRG4PC60FPBF IRG4PC60FPBF Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 90A 520Вт TO247AC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
90A
Импульсный ток коллектора макс.:
360A
Макс. рассеиваемая мощность:
520W
Переключаемая энергия:
300Вќ µJ (on), 4.6mJ (off)
IRG4PC60UPBF IGBT 600V 75A 520W TO247AC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
75A
Импульсный ток коллектора макс.:
300A
Макс. рассеиваемая мощность:
520W
Переключаемая энергия:
280 µJ (on), 1.1mJ (off)
IRG4PF50WDPBF IRG4PF50WDPBF Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
900 В
Макс. ток коллектора:
51 А
Импульсный ток коллектора макс.:
204 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
2.63 мДж
IRG4PF50WPBF IRG4PF50WPBF Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
900 В
Макс. ток коллектора:
51 А
Импульсный ток коллектора макс.:
204 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
190 мкДж
IRG4PH20KDPBF IRG4PH20KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 11 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
11 А
Импульсный ток коллектора макс.:
22 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
620 мкДж
IRG4PH20KPBF IRG4PH20KPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 11 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
11 А
Импульсный ток коллектора макс.:
22 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
450 мкДж
IRG4PH30KDPBF IRG4PH30KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 20 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
950 мкДж
IRG4PH30KPBF IRG4PH30KPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 20 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
640 мкДж
IRG4PH40KDPBF IRG4PH40KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
1.31 мДж
IRG4PH40KPBF IRG4PH40KPBF Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 30A 160Вт TO247AC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
30A
Импульсный ток коллектора макс.:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
160W
Переключаемая энергия:
730 µJ (on), 1.66mJ (off)
IRG4PH40UD-EPBF IRG4PH40UD-EPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 41 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
41 А
Импульсный ток коллектора макс.:
82 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
1.8 мДж
Акция
IRG4PH40UD2-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Акция
IRG4PH40UDPBF IRG4PH40UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
41 А
Импульсный ток коллектора макс.:
82 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
1.8 мДж
IRG4PH40UPBF IRG4PH40UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 41 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
41 А
Импульсный ток коллектора макс.:
82 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
1.04 мДж
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"