Одиночные IGBT транзисторы ON Semiconductor
156
Производитель:
ON Semiconductor
FGB40T65SPD-F085
IGBT, AEC-Q101, N-CH, 650V, 80A, TO263AB; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Power Dissipation Pd:267W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-263AB; No.
Производитель:
ON Semiconductor
FGD3040G2-F085
Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 390В 25.6A 150Вт автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK
FGD3245G2-F085
TRANSISTOR, IGBT, 450V, 23A, TO252AA; DC Collector Current:23A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.13V; Power Dissipation Pd:150W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:450V; Transistor Case Style:TO-252AA; No.
Производитель:
ON Semiconductor
FGD3N60LSDTM
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 6 А, 40 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
FGD3N60UNDF
Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 6A 60Вт 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
FGD5T120SH
IGBT, SINGLE, N-CH, 1.2KV, 10A, TO-252-3; DC Collector Current:10A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.9V; Power Dissipation Pd:69W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-252; No.
Производитель:
ON Semiconductor
FGH20N60UFDTU
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 165 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
FGH25N120FTDS
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 313 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
FGH30N60LSDTU
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 480 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
FGH30S130P
Биполярный транзистор IGBT, 1300 В, 60 А, 500 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
FGH40N120ANTU
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 417 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
FGH40N60SFTU
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
FGH40N60UFTU
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
FGH40N65UFDTU
Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 290 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
FGH40T100SMD
Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
FGH40T120SMD_F155
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
FGH40T65SPD_F155
Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 267 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Сообщите мне о поступлении товара
