IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.
В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.
Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
Одиночные IGBT транзисторы RENESAS Electronics Corp.
19
RJH3047DPK
Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А
RJH60F7DPQ-A0-T0
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 320 Вт
RJH60F5DPQ
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 260 Вт
RJH3077DPK
Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А
RJH30H1DPP
Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт
RJH60F5DPK
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 260 Вт
RJK5020DPK
Полевой транзистор, N-канал, 500 В, 40 А, 200 Вт
RJK6015DPK
Полевой транзистор, N-канал, 600 В, 21 А, 150 Вт
RJP3065DPP
Биполярный транзистор IGBT, 320 В, 40 А, 30 Вт
RJP30E2DPP
Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 35 А, 25 Вт
RJP30E3DPP
Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 40 А, 30 Вт
RJP30H1DPD
Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт
RJP30H1DPP-M0
Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт
RJP30H2ADPE
Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 35 А
RJP43F4ADPP
Биполярный транзистор IGBT, 30 Вт, 430 В, 40 А
RJP6065DPP
Биполярный транзистор IGBT, 630 В, 40 А, 30 Вт
RJP63F3ADPP
Биполярный транзистор IGBT, 630 В, 40 А, 30 Вт
RJP63F4DPP
Биполярный транзистор IGBT, 630 В, 40 А
RJP63G4DPE
Биполярный транзистор IGBT, 630 В, 40 А
Цена на Одиночные IGBT транзисторы RENESAS Electronics Corp.
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы RENESAS Electronics Corp. в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы RENESAS Electronics Corp. - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы RENESAS Electronics Corp. в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные IGBT транзисторы RENESAS Electronics Corp. в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"