Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics

Фильтр
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (130)
STGP19NC60KD Биполярный транзистор с изолированным затвором 600В/20А/Uкэ нас.=1.8В/встроенный диод Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220
Наличие:
250 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 109,39
STGP20NC60V Биполярный транзистор IGBT 600В 60А 200Вт TO220 Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB
Наличие:
95 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 392,90
STGP40V60F Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 283 Вт Переключаемая энергия: 456 мкДж
Наличие:
50 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 496,49
STGP7NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 14 А, 80 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 25 А Импульсный ток коллектора макс.: 50 А Макс. рассеиваемая мощность: 80 Вт Переключаемая энергия: 95 мкДж
Наличие:
275 шт

Под заказ:
220 шт
Цена от:
от 314,68
STGP8NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 15 А Импульсный ток коллектора макс.: 30 А Макс. рассеиваемая мощность: 65 Вт Переключаемая энергия: 55 мкДж
Наличие:
251 шт

Под заказ:
100 шт
Цена от:
от 63,11
STGW19NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 21 А, 600 В, 140W Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 42 А Импульсный ток коллектора макс.: 60 А Макс. рассеиваемая мощность: 140 Вт Переключаемая энергия: 85 мкДж
Наличие:
0 шт

Под заказ:
40 шт
Цена от:
от 955,23
STGW20H65FB Транзистор биполярный IGBT N-канальный 650В 40A 168Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247
Наличие:
30 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 513,46
STGW20NC60VD Биполярный транзистор IGBT, 200 Вт, 30 А, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 220 мкДж
Наличие:
543 шт

Под заказ:
20 шт
Цена от:
от 295,49
STGW30H60DFB Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 260 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 260 Вт Переключаемая энергия: 383 мкДж
Наличие:
0 шт

Под заказ:
10 шт
Цена от:
от 597,02
STGW30H65FB Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 30 А, 260 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 30 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 260 Вт Переключаемая энергия: 151 мкДж
Наличие:
60 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 413,25
STGW30NC60WD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 200 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 200 Вт Переключаемая энергия: 305 мкДж
Наличие:
119 шт

Под заказ:
110 шт
Цена от:
от 321,46
STGW30V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 258 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 258 Вт Переключаемая энергия: 383 мкДж
Наличие:
103 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 277,16
STGW38IH130D Биполярный транзистор IGBT, 20 КГц, 33 А, 1300 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1300V Макс. ток коллектора: 33А Переключаемая энергия: 3.4 мДж
Наличие:
146 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 285,28
STGW39NC60VD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 250 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 220 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт Переключаемая энергия: 333 мкДж
Наличие:
36 шт

Под заказ:
9 шт
Цена от:
от 215,51
STGW40V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 283 Вт Переключаемая энергия: 456 мкДж
Наличие:
120 шт

Под заказ:
110 шт
Цена от:
от 533,18
STGW45HF60WD Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 45 А, 600 В, 250W Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247
Наличие:
125 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 729,41
STGW60V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 375 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 240 А Макс. рассеиваемая мощность: 375 Вт Переключаемая энергия: 750 мкДж
Наличие:
120 шт

Под заказ:
2 556 шт
Цена от:
от 272,02
STGW80H65DFB Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 120 А Импульсный ток коллектора макс.: 240 А Макс. рассеиваемая мощность: 469 Вт Переключаемая энергия: 2.1 мДж
Наличие:
37 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 424,06
STGWA40M120DF3 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 80A 468Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 80A Импульсный ток коллектора макс.: 160A Макс. рассеиваемая мощность: 468W Переключаемая энергия: 1.03mJ (on), 480 µJ (off)
Наличие:
90 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 425,39
STGWT30V60DF Биполярный транзистор IGBT, 30 А, 258 Вт, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-3P Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 60 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 258 Вт Переключаемая энергия: 383 мкДж
Наличие:
64 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 264,80
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"