Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics

173
Производитель: ST Microelectronics
Фильтр
Корпус
Макс. напр. коллектор-эмиттер
Макс. ток коллектора
Импульсный ток коллектора макс.
Макс. рассеиваемая мощность
Переключаемая энергия
Одиночные IGBT транзисторы (173)
STGP14NC60KD STGP14NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В, 80 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
25 А
Импульсный ток коллектора макс.:
50 А
Макс. рассеиваемая мощность:
80 Вт
Переключаемая энергия:
82 мкДж
Наличие:
131 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 78,97
STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
440 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
125 Вт
Переключаемая энергия:
2.4 мДж
Наличие:
116 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 217,38
STGWA40M120DF3 STGWA40M120DF3 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 80A 468Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
80A
Импульсный ток коллектора макс.:
160A
Макс. рассеиваемая мощность:
468W
Переключаемая энергия:
1.03mJ (on), 480 µJ (off)
Наличие:
112 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 304,12
Акция
STGB10NC60HDT4 STGB10NC60HDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 10 А, 65 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
65 Вт
Переключаемая энергия:
31.8 мкДж
Наличие:
103 шт

Внешние склады:
320 шт
Цена от:
от 153,34
STGW45HF60WD STGW45HF60WD Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 45 А, 600 В, 250W
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Наличие:
101 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 438,77
STGB6NC60HDT4 STGB6NC60HDT4 Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 7 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
15 А
Импульсный ток коллектора макс.:
21 А
Макс. рассеиваемая мощность:
56 Вт
Переключаемая энергия:
20 мкДж
Наличие:
93 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 119,58
Акция
STGP20NC60V STGP20NC60V Биполярный транзистор IGBT 600В 60А 200Вт TO220
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Наличие:
65 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 285,67
STGW80H65DFB STGW80H65DFB Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
469 Вт
Переключаемая энергия:
2.1 мДж
Наличие:
57 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 382,03
Акция
STGW30H65FB STGW30H65FB Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 30 А, 260 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
260 Вт
Переключаемая энергия:
151 мкДж
Наличие:
54 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 197,18
Акция
STGWT30V60DF STGWT30V60DF Биполярный транзистор IGBT, 30 А, 258 Вт, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-3P
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
258 Вт
Переключаемая энергия:
383 мкДж
Наличие:
54 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 162,28
Акция
STGP40V60F STGP40V60F Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
283 Вт
Переключаемая энергия:
456 мкДж
Наличие:
48 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 374,62
Акция
STGP8NC60KD STGP8NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
15 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
65 Вт
Переключаемая энергия:
55 мкДж
Наличие:
46 шт

Внешние склады:
110 шт
Цена от:
от 37,73
STGF19NC60HD STGF19NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 19 А, 32W
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
16 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
32 Вт
Переключаемая энергия:
85 мкДж
Наличие:
34 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 249,27
Акция
STGF15H60DF STGF15H60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 30 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
30A
Импульсный ток коллектора макс.:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
30W
Переключаемая энергия:
136 µJ (on), 207 µJ (off)
Наличие:
33 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 87,08
Акция
STGW20H65FB STGW20H65FB Транзистор биполярный IGBT N-канальный 650В 40A 168Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Наличие:
26 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 249,65
Акция
STGW40V60DF STGW40V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Наличие:
21 шт

Внешние склады:
330 шт
Цена от:
от 317,82
Акция
STGF5H60DF STGF5H60DF Биполярный транзистор IGBT N-канальный 600В 10A 24Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Наличие:
16 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 52,50
STGW19NC60HD STGW19NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 21 А, 600 В, 140W
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
42 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
140 Вт
Переключаемая энергия:
85 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 шт
Цена от:
от 670,66
STGW30H60DFB STGW30H60DFB Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 260 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
260 Вт
Переключаемая энергия:
383 мкДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
309 шт
Цена от:
от 570,27
GWA40MS120DF4AG GWA40MS120DF4AG IGBT, SINGLE, 1.2KV, 80A, TO-247;
Производитель:
ST Microelectronics
На странице:

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"