IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 266,17
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 261,52
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 103,56
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,92
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 82,72
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
IRGB4045DPBF IRGB4045DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 77 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
12 А
Импульсный ток коллектора макс.:
18 А
Макс. рассеиваемая мощность:
77 Вт
Переключаемая энергия:
56 мкДж
IRGB4060DPBF IRGB4060DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 99 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
IRGB4064DPBF IRGB4064DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 101 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
101 Вт
Переключаемая энергия:
29 мкДж
-6% Акция
IRGB4610DPBF IRGB4610DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 77 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
16 А
Импульсный ток коллектора макс.:
18 А
Макс. рассеиваемая мощность:
77 Вт
Переключаемая энергия:
56 мкДж
IRGB4615DPBF IRGB4615DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 99 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
23 А
Импульсный ток коллектора макс.:
24 А
Макс. рассеиваемая мощность:
99 Вт
Переключаемая энергия:
70 мкДж
IRGB5B120KDPBF IRGB5B120KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 12 А, 89 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
IRGIB10B60KD1P IRGIB10B60KD1P Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 44 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
16A
Импульсный ток коллектора макс.:
32A
Макс. рассеиваемая мощность:
44W
Переключаемая энергия:
156 µJ (on), 165 µJ (off)
IRGIB15B60KD1P IRGIB15B60KD1P Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 19 А, 52 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
19 А
Импульсный ток коллектора макс.:
38 А
Макс. рассеиваемая мощность:
52 Вт
Переключаемая энергия:
127 мкДж
IRGIB6B60KDPBF IRGIB6B60KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11 А, 38 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
11 А
Импульсный ток коллектора макс.:
22 А
Макс. рассеиваемая мощность:
38 Вт
Переключаемая энергия:
110 мкДж
IRGP20B120U-EP IRGP20B120U-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 300 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AD
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
300 Вт
Переключаемая энергия:
850 мкДж
IRGP30B120KD-EP IRGP30B120KD-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 300 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AD
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
300 Вт
Переключаемая энергия:
1.07 мДж
IRGP30B60KD-EP IRGP30B60KD-EP Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 60A 304Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247AC туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AD
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
60A
Импульсный ток коллектора макс.:
120A
Макс. рассеиваемая мощность:
304W
Переключаемая энергия:
350 µJ (on), 825 µJ (off)
IRGP4066PBF IRGP4066PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 140 А, 454 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
140 А
Импульсный ток коллектора макс.:
225 А
Макс. рассеиваемая мощность:
454 Вт
Переключаемая энергия:
2.47 мДж
IRGP4069D-EPBF IRGP4069D-EPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 76 А, 268 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AD
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
76 А
Импульсный ток коллектора макс.:
105 А
Макс. рассеиваемая мощность:
268 Вт
Переключаемая энергия:
390 мкДж
IRGP4069DPBF IRGP4069DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 76 А, 268 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
76 А
Импульсный ток коллектора макс.:
105 А
Макс. рассеиваемая мощность:
268 Вт
Переключаемая энергия:
390 мкДж
IRGP4069PBF IRGP4069PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 76 А, 268 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
IRGP4263DPBF IRGP4263DPBF Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 90 А, 325 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
90 А
Импульсный ток коллектора макс.:
192 А
Макс. рассеиваемая мощность:
325 Вт
Переключаемая энергия:
2.9 мДж
IRGP4266DPBF IRGP4266DPBF Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 140 А, 455 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
140 А
Импульсный ток коллектора макс.:
300 А
Макс. рассеиваемая мощность:
455 Вт
Переключаемая энергия:
2.5 мДж
Акция
IRGP4620DPBF IRGP4620DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 32 А, 140 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
32 А
Импульсный ток коллектора макс.:
36 А
Макс. рассеиваемая мощность:
140 Вт
Переключаемая энергия:
75 мкДж
IRGP4630DPBF IRGP4630DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 47 А, 206 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
47 А
Импульсный ток коллектора макс.:
54 А
Макс. рассеиваемая мощность:
206 Вт
Переключаемая энергия:
95 мкДж
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"