IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 266,17
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 261,52
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 103,56
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,92
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 82,72
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
IRGP4640PBF IRGP4640PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 65 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
IRGP4650D-EPBF IRGP4650D-EPBF Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 76A 268Вт TO247AD
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AD
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
76A
Импульсный ток коллектора макс.:
105A
Макс. рассеиваемая мощность:
268W
Переключаемая энергия:
390 µJ (on), 632 µJ (off)
IRGP4650D-EPBF IRGP4650D-EPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 76 А, 268 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
IRGP4660D-EPBF IRGP4660D-EPBF Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 100A 330Вт TO247AD
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AD
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
100A
Импульсный ток коллектора макс.:
144A
Макс. рассеиваемая мощность:
330W
Переключаемая энергия:
625 µJ (on), 1.28mJ (off)
IRGP50B60PD1-EP IRGP50B60PD1-EP Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 75A 390Вт TO247AD
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AD
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
75A
Импульсный ток коллектора макс.:
150A
Макс. рассеиваемая мощность:
390W
Переключаемая энергия:
255 µJ (on), 375 µJ (off)
Акция
IRGP50B60PD1PBF IRGP50B60PD1PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 390 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
390 Вт
Переключаемая энергия:
255 мкДж
Акция
IRGP50B60PDPBF IRGP50B60PDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 75 А, 370 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
75 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
370 Вт
Переключаемая энергия:
360 мкДж
IRGP6630DPBF IRGP6630DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 47 А, 192 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
IRGP6640DPBF IRGP6640DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 53 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
53 А
Импульсный ток коллектора макс.:
72 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
300 мкДж
Акция
IRGP6660DPBF IRGP6660DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 95 А, 330 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
95 А
Импульсный ток коллектора макс.:
144 А
Макс. рассеиваемая мощность:
330 Вт
Переключаемая энергия:
600 мкДж
Акция
IRGPS40B120UDP IRGPS40B120UDP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 595 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Super-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
595 Вт
Переключаемая энергия:
1.4 мДж
Акция
IRGPS40B120UPBF IRGPS40B120UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 595 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Super-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
595 Вт
Переключаемая энергия:
1.4 мДж
IRGPS60B120KDP IRGPS60B120KDP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 105 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Super-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
105 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
595 Вт
Переключаемая энергия:
3.21 мДж
IRGR2B60KDTRRPBF IRGR2B60KDTRRPBF Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 600В 6.3A 35Вт 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
6.3A
Импульсный ток коллектора макс.:
8A
Макс. рассеиваемая мощность:
35W
Переключаемая энергия:
74 µJ (on), 39 µJ (off)
Акция
IRGR3B60KD2PBF IRGR3B60KD2PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 7.8 А, 52 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
7.8 А
Импульсный ток коллектора макс.:
15.6 А
Макс. рассеиваемая мощность:
52 Вт
Переключаемая энергия:
62 мкДж
IRGR3B60KD2TRRP IRGR3B60KD2TRRP Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 7.8 А, 52 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
7.8A
Макс. рассеиваемая мощность:
52W
IRGR4045DPBF IRGR4045DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 12 А, 77 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
12 А
Импульсный ток коллектора макс.:
18 А
Макс. рассеиваемая мощность:
77 Вт
Переключаемая энергия:
56 мкДж
Акция
IRGR4607DPBF IRGR4607DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11 А, 58 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
IRGR4610DPBF IRGR4610DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 77 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
16 А
Импульсный ток коллектора макс.:
18 А
Макс. рассеиваемая мощность:
77 Вт
Переключаемая энергия:
56 мкДж
Акция
IRGS14C40LPBF IRGS14C40LPBF Биполярный транзистор IGBT, 400 В, 14 А, 125 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
430 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Макс. рассеиваемая мощность:
125 Вт
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
43 шт
Цена от:
от 899,95
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"