IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 266,17
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 261,52
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 103,56
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,92
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 82,72
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
IRG4PC60UPBF IGBT 600V 75A 520W TO247AC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
75A
Импульсный ток коллектора макс.:
300A
Макс. рассеиваемая мощность:
520W
Переключаемая энергия:
280 µJ (on), 1.1mJ (off)
IRG4PF50WDPBF IRG4PF50WDPBF Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
900 В
Макс. ток коллектора:
51 А
Импульсный ток коллектора макс.:
204 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
2.63 мДж
IRG4PF50WPBF IRG4PF50WPBF Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
900 В
Макс. ток коллектора:
51 А
Импульсный ток коллектора макс.:
204 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
190 мкДж
IRG4PH20KDPBF IRG4PH20KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 11 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
11 А
Импульсный ток коллектора макс.:
22 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
620 мкДж
IRG4PH20KPBF IRG4PH20KPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 11 А, 60 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
11 А
Импульсный ток коллектора макс.:
22 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
450 мкДж
IRG4PH30KDPBF IRG4PH30KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 20 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
950 мкДж
IRG4PH30KPBF IRG4PH30KPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 20 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
20 А
Импульсный ток коллектора макс.:
40 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
640 мкДж
IRG4PH40KDPBF IRG4PH40KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
1.31 мДж
IRG4PH40KPBF IRG4PH40KPBF Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 30A 160Вт TO247AC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
30A
Импульсный ток коллектора макс.:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
160W
Переключаемая энергия:
730 µJ (on), 1.66mJ (off)
IRG4PH40UD-EPBF IRG4PH40UD-EPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 41 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
41 А
Импульсный ток коллектора макс.:
82 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
1.8 мДж
Акция
IRG4PH40UD2-EP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
IRG4PH40UPBF IRG4PH40UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 41 А, 160 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
41 А
Импульсный ток коллектора макс.:
82 А
Макс. рассеиваемая мощность:
160 Вт
Переключаемая энергия:
1.04 мДж
Акция
IRG4PH50KDPBF IRG4PH50KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
45 А
Импульсный ток коллектора макс.:
90 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
3.83 мДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 779 шт
Цена от:
от 198,18
IRG4PH50KPBF IRG4PH50KPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
45 А
Импульсный ток коллектора макс.:
90 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
1.21 мДж
IRG4PH50S-EPBF IRG4PH50S-EPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 57 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AD
IRG4PH50SPBF IRG4PH50SPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 33 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
57 А
Импульсный ток коллектора макс.:
114 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
1.8 мДж
Акция
IRG4PH50UDPBF IRG4PH50UDPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
45 А
Импульсный ток коллектора макс.:
180 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
2.1 мДж
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 779 шт
Цена от:
от 198,18
IRG4PH50UPBF IRG4PH50UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 45 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
45 А
Импульсный ток коллектора макс.:
180 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
530 мкДж
IRG4PSC71KDPBF IRG4PSC71KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 85 А, 350 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Super-247 (TO-274AA)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
85 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
350 Вт
Переключаемая энергия:
3.95 мДж
IRG4PSC71KPBF IRG4PSC71KPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 85 А, 350 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Super-247 (TO-274AA)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
85 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
350 Вт
Переключаемая энергия:
790 мкДж
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"