IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 263,40
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 258,79
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 102,48
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,03
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 81,86
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
-6% Акция
STGP7NC60HD STGP7NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 14 А, 80 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
25 А
Импульсный ток коллектора макс.:
50 А
Макс. рассеиваемая мощность:
80 Вт
Переключаемая энергия:
95 мкДж
Наличие:
249 шт

Внешние склады:
1 410 шт
Цена от:
от 84,75
-6% Акция
STGP8NC60KD STGP8NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
15 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
65 Вт
Переключаемая энергия:
55 мкДж
Наличие:
54 шт

Внешние склады:
109 шт
Цена от:
от 40,19
STGW20NC60VD STGW20NC60VD Биполярный транзистор IGBT, 200 Вт, 30 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
220 мкДж
Наличие:
687 шт

Внешние склады:
580 шт
Цена от:
от 194,77
-6% Акция
STGW30H65FB STGW30H65FB Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 30 А, 260 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
260 Вт
Переключаемая энергия:
151 мкДж
Наличие:
54 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 210,06
STGW30NC60WD STGW30NC60WD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 200 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
305 мкДж
Наличие:
397 шт

Внешние склады:
209 шт
Цена от:
от 220,65
STGW30V60DF STGW30V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 258 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
258 Вт
Переключаемая энергия:
383 мкДж
Наличие:
240 шт

Внешние склады:
550 шт
Цена от:
от 213,31
STGW39NC60VD STGW39NC60VD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 250 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
220 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
333 мкДж
Наличие:
494 шт

Внешние склады:
6 129 шт
Цена от:
от 119,71
STGW45HF60WD STGW45HF60WD Биполярный транзистор IGBT, 100 КГц, 45 А, 600 В, 250W
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Наличие:
123 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 497,28
STGW60V60DF STGW60V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 375 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
375 Вт
Переключаемая энергия:
750 мкДж
Наличие:
437 шт

Внешние склады:
880 шт
Цена от:
от 267,08
STGW80H65DFB STGW80H65DFB Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
240 А
Макс. рассеиваемая мощность:
469 Вт
Переключаемая энергия:
2.1 мДж
Наличие:
59 шт

Внешние склады:
150 шт
Цена от:
от 432,97
STGWA40M120DF3 STGWA40M120DF3 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 80A 468Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
80A
Импульсный ток коллектора макс.:
160A
Макс. рассеиваемая мощность:
468W
Переключаемая энергия:
1.03mJ (on), 480 µJ (off)
Наличие:
114 шт

Внешние склады:
450 шт
Цена от:
от 247,00
-6% Акция
STGWT30V60DF STGWT30V60DF Биполярный транзистор IGBT, 30 А, 258 Вт, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-3P
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
120 А
Макс. рассеиваемая мощность:
258 Вт
Переключаемая энергия:
383 мкДж
Наличие:
54 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 170,28
TG300HF17M1-S300 Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
CRRC Times Semiconductor
Наличие:
100 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
5 837 шт
Цена от:
от 16 203,99
TG450HF12M1-S3A00 IGBT модуль 1200В 450А
Производитель:
CRRC Times Semiconductor
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
450А
Наличие:
100 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
5 837 шт
Цена от:
от 10 233,12
XNG450B24KC5A5 XNG450B24KC5A5 IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовой
Производитель:
Xiner Semiconductor Technology Co., Ltd
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
450А
Наличие:
2 476 шт

Внешние склады:
-2 376 шт
Аналоги:
5 907 шт
Цена от:
от 6 889,62
XNG450B24LC5AL XNG450B24LC5AL Полумостовой модуль IGBT 1200В 450A
Производитель:
Xiner Semiconductor Technology Co., Ltd
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
450А
Наличие:
70 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
100 шт
Цена от:
от 5 896,38
2MBI1400VXB-120P-54 IGBT модуль 1700В, 1400 А, PrimePACK 3
Производитель:
Fujitsu Limited
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 шт
Цена от:
от 47 980,02
2MBI150VH-170-50 2MBI150VH-170-50 IGBT модуь 1700В, 150А, Standard 2-Pack 62 мм
Производитель:
Fujitsu Limited
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
16 шт
Цена от:
от 10 428,01
2MBI300VH-120-50 IGBT модуь 1200В, 300А, Standard 2-Pack 62 мм
Производитель:
Fujitsu Limited
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
24 шт
Цена от:
от 9 592,78
2MBI300VH-170-50 IGBT модуь 1700В, 300А, Standard 2-Pack 62 мм
Производитель:
Fujitsu Limited
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
16 шт
Цена от:
от 12 607,55
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"