IGBT (БТИЗ) транзисторы

1832

Новинки

Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 918 шт
Цена от: 93,87
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
202 шт
Под заказ:
837 шт
Цена от: 29,66
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
158 шт
Под заказ:
1 278 шт
Цена от: 74,99
Новинка
DG50Q12T21
DG50Q12T21
Наличие:
30 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 250,86
Новинка
GD150HFX65C1S
GD150HFX65C1S
Наличие:
6 шт
Под заказ:
121 шт
Цена от: 1 820,17
Фильтр
Производители
Корпус
(1832)
FF450R17ME4 FF450R17ME4 Силовой модуль 2-IGBT 1700В, 450А, econo dual 3
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение коллектор-эмиттер:
1700В
Наличие:
100 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 220 шт
Цена от:
от 19 960,74
GD450HFY120C6S IGBT модуль 1200B 450А 2 in one-package
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
450А
Наличие:
100 шт

Внешние склады:
38 шт
Аналоги:
1 533 шт
Цена от:
от 6 912,77
TG300HF17M1-S300 Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
CRRC Times Semiconductor
Наличие:
100 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 571 шт
Цена от:
от 14 684,87
TG450HF12M1-S3A00 IGBT модуль 1200В 450А
Производитель:
CRRC Times Semiconductor
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
450А
Наличие:
100 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 571 шт
Цена от:
от 9 149,61
IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
306W
Наличие:
98 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 333,13
MG75HF12TLC1 MG75HF12TLC1 Модуль полумостовой IGBT 1200В 75А
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Наличие:
97 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 2 150,73
STGB6NC60HDT4 STGB6NC60HDT4 Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 7 А, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
15 А
Импульсный ток коллектора макс.:
21 А
Макс. рассеиваемая мощность:
56 Вт
Переключаемая энергия:
20 мкДж
Наличие:
93 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 121,17
FGH60N60SFDTU FGH60N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 378 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
120 А
Импульсный ток коллектора макс.:
180 А
Макс. рассеиваемая мощность:
378 Вт
Переключаемая энергия:
1.79 мДж
Наличие:
90 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 713,07
Акция
IRG7PH35UPBF IRG7PH35UPBF Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 55 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
55 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
210 Вт
Переключаемая энергия:
1.06 мДж
Наличие:
89 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 417,02
IKW30N60DTPXKSA1 IKW30N60DTPXKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO247-3-46
Наличие:
84 шт

Внешние склады:
256 шт
Цена от:
от 285,54
STGW39NC60VD STGW39NC60VD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 250 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
220 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
333 мкДж
Наличие:
78 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 173,76
DG75X07T2L DG75X07T2L Биполярный транзистор IGBT, 650В 150А 980Вт
Производитель:
STARPOWER Semiconductor Ltd.
Корпус:
TO-247
Наличие:
73 шт

Внешние склады:
1 200 шт
Цена от:
от 365,48
FP40R12KT3 FP40R12KT3 Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 55А 210Вт 24-Pin ECONO2-5 лоток
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
AG-ECONO2C
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
55А
Наличие:
73 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 4 372,40
SKM100GB125DN SKM100GB125DN Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 100А 7-Pin Case D-93
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
Корпус:
SEMITRANS® 1 Case A-11
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
100А
Наличие:
72 шт

Внешние склады:
16 шт
Цена от:
от 7 215,11
Акция
IRGB15B60KDPBF IRGB15B60KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 31 А, 208 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
31 А
Импульсный ток коллектора макс.:
62 А
Макс. рассеиваемая мощность:
208 Вт
Переключаемая энергия:
220 мкДж
Наличие:
71 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 310,00
AUIRG4PH50S AUIRG4PH50S Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 57 А, 200 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
57 А
Импульсный ток коллектора макс.:
114 А
Макс. рассеиваемая мощность:
200 Вт
Переключаемая энергия:
1.8 мДж
Наличие:
70 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 416,24
Акция
IRG4BC30KDPBF IRG4BC30KDPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 28 А, 100 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
28 А
Импульсный ток коллектора макс.:
56 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
600 мкДж
Наличие:
70 шт

Внешние склады:
830 шт
Цена от:
от 169,56
IRGP4790DPBF IRGP4790DPBF Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 455 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
650V
Наличие:
70 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 790,26
XNG450B24LC5AL XNG450B24LC5AL Полумостовой модуль IGBT 1200В 450A
Производитель:
Xiner Semiconductor Technology Co., Ltd
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
450А
Наличие:
70 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
100 шт
Цена от:
от 5 405,02
FF400R12KE3HOSA1 FF400R12KE3HOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 400 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
AG-62MMHB
Наличие:
68 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 9 674,49
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"