IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 263,40
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 258,79
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 102,48
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,03
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 81,86
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
IRGP4062DPBF IRGP4062DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
48 А
Импульсный ток коллектора макс.:
72 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
115 мкДж
Наличие:
1 645 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 125,72
IRGP4063DPBF IRGP4063DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
96 А
Импульсный ток коллектора макс.:
144 А
Макс. рассеиваемая мощность:
330 Вт
Переключаемая энергия:
625 мкДж
Наличие:
1 332 шт

Внешние склады:
520 шт
Цена от:
от 431,80
IRGP4063PBF IRGP4063PBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
96 А
Импульсный ток коллектора макс.:
144 А
Макс. рассеиваемая мощность:
330 Вт
Переключаемая энергия:
625 мкДж
Наличие:
150 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 281,85
IRGP4068DPBF IRGP4068DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
96A
Переключаемая энергия:
1.28 мДж
Наличие:
43 шт

Внешние склады:
190 шт
Цена от:
от 378,41
IRGP4640DPBF IRGP4640DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 65 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
65 А
Импульсный ток коллектора макс.:
72 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
115 мкДж
Наличие:
269 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 462,18
-6% Акция
IRGP4650DPBF IRGP4650DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 76 А, 268 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
76 А
Импульсный ток коллектора макс.:
105 А
Макс. рассеиваемая мощность:
268 Вт
Переключаемая энергия:
390 мкДж
Наличие:
73 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 414,02
IRGPS4067DPBF IRGPS4067DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 240 А, 750 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Super-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
240 А
Импульсный ток коллектора макс.:
360 А
Макс. рассеиваемая мощность:
750 Вт
Переключаемая энергия:
5.75 мДж
Наличие:
47 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1 525,85
IRGS14C40LTRLP IRGS14C40LTRLP Биполярный транзистор IGBT, 400 В, 14 А, 125 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Наличие:
43 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 890,57
IRGS4620DPBF IRGS4620DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 32 А, 140 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
32 А
Импульсный ток коллектора макс.:
36 А
Макс. рассеиваемая мощность:
140 Вт
Переключаемая энергия:
75 мкДж
Наличие:
113 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 221,01
Акция
ISL9V3040S3ST ISL9V3040S3ST Биполярный транзистор IGBT, 430 В, 21 А, 150 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
430V
Макс. ток коллектора:
21A
Макс. рассеиваемая мощность:
150W
Наличие:
147 шт

Внешние склады:
30 шт
Цена от:
от 126,94
MG75HF12TLC1 MG75HF12TLC1 Модуль полумостовой IGBT 1200В 75А
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Наличие:
97 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 2 377,12
RJH3047DPK RJH3047DPK Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-3P
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
330V
Макс. ток коллектора:
50A
Наличие:
80 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 132,85
RJH60F7DPQ-A0-T0 RJH60F7DPQ-A0-T0 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 320 Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
90A
Макс. рассеиваемая мощность:
320W
Наличие:
68 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 374,37
SGT50T65FD1PN SGT50T65FD1PN Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 50A 235Вт
Производитель:
Silan Microelectronics
Корпус:
TO-3P
Наличие:
459 шт

Внешние склады:
3 236 шт
Цена от:
от 80,61
Акция
SGW30N60FK SGW30N60FK Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 41 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
41 А
Импульсный ток коллектора макс.:
112 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
1.15 мДж
Наличие:
62 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 423,71
SKIIP35NAB12T4V1 SKIIP35NAB12T4V1 Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 73А
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
Корпус:
MiniSKiiP® 3
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
73А
Наличие:
50 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 7 534,15
SKM100GB125DN SKM100GB125DN Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 100А 7-Pin Case D-93
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
Корпус:
SEMITRANS® 1 Case A-11
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
100А
Наличие:
58 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 4 779,11
SKM100GB12T4 SKM100GB12T4 Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
Корпус:
SEMITRANS® 2 Case A-12
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
160А
Наличие:
267 шт

Внешние склады:
132 шт
Аналоги:
7 шт
Цена от:
от 3 425,71
SKM150GAL12T4 SKM150GAL12T4 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
Корпус:
SEMITRANS® 2 Case A-12
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
150А
Наличие:
90 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 4 345,66
SKM150GB12T4 SKM150GB12T4 Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
Корпус:
SEMITRANS® 2 Case A-12
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
232А
Наличие:
307 шт

Внешние склады:
24 шт
Аналоги:
1 шт
Цена от:
от 4 938,84
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"