IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 266,17
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 261,52
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 103,56
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,92
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 82,72
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
SEMiX603GB12E4 Силовой IGBT модуль 1200В 600А полумост
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
600А
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
52 шт
Цена от:
от 9 618,15
SEMiX603GB17E4p IGBT Модуль Half Bridge 1700В 600А
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
Напряжение коллектор-эмиттер:
1700В
Ток коллектора:
600А
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 683 шт
Цена от:
от 8 943,00
SEMiX603GB17E4pV1 IGBT Модуль Half Bridge 1700В 600А
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 683 шт
Цена от:
от 8 943,00
SEMiX603GB17E7p IGBT Модуль 1700В, 600А, полумостовой
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 683 шт
Цена от:
от 8 943,00
SEMIX604GB12E4S Модуль IGBT силовой сборка и двойной N-канальный транзистор 916A 1200В SEMiX 4s
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
1200А
SEMIX653GB176HDS Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
SGB02N120ATMA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 6.2A 62Вт TO263-3
Производитель:
Infineon Technologies
SGB07N120ATMA1 SGB07N120ATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125000 мВт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
16.5A
Макс. рассеиваемая мощность:
125W
SGB10N60A SGB10N60A Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 92 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO263-3
SGB8206ANSL3G
Производитель:
Littelfuse
SGB8206ANT4G
Производитель:
Littelfuse
SGD02N120BUMA1 SGD02N120BUMA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62000 мВт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
SGD02N120BUMA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 6.2A 62Вт TO252-3
Производитель:
Infineon Technologies
SGF5N150UFTU SGF5N150UFTU Биполярный транзистор IGBT, 1500 В, 10 А, 62.5 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3PF
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1500 В
Макс. ток коллектора:
10 А
Импульсный ток коллектора макс.:
20 А
Макс. рассеиваемая мощность:
62.5 Вт
Переключаемая энергия:
190 мкДж
SGH30N60RUFDTU SGH30N60RUFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 235 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Акция
SGH40N60UFD SGH40N60UFD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 160 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
40A
Макс. рассеиваемая мощность:
160W
SGH80N60UFDTU SGH80N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 195 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
220 А
Макс. рассеиваемая мощность:
195 Вт
Переключаемая энергия:
570 мкДж
SGL50N60RUFDTU SGL50N60RUFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 250 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO264
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
250 Вт
Переключаемая энергия:
1.68 мДж
SGM100HF12A3TFD
Производитель:
Silan Microelectronics
SGM50HF12A1TFDT4
Производитель:
Silan Microelectronics
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"