IGBT (БТИЗ) транзисторы

1827

Новинки

Новинка
HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
Наличие:
1 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от: 266,17
Новинка
IKW30N65H5XKSA1
IKW30N65H5XKSA1
Наличие:
46 шт
Под заказ:
165 шт
Цена от: 202,29
Новинка
STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2
Наличие:
0 шт
Под заказ:
420 шт
Цена от: 261,52
Новинка
DG15X12T2
DG15X12T2
Наличие:
65 шт
Под заказ:
1 573 шт
Цена от: 103,56
Новинка
DG15X06T1
DG15X06T1
Наличие:
222 шт
Под заказ:
865 шт
Цена от: 43,92
Новинка
DG10X06T1
DG10X06T1
Наличие:
160 шт
Под заказ:
1 282 шт
Цена от: 82,72
Фильтр
Производители
Корпус
(1827)
SGM75HF12A1TFD1
Производитель:
Silan Microelectronics
SGM75HF12A1TFDT4
Производитель:
Silan Microelectronics
SGM75HF12A1TLD
Производитель:
Silan Microelectronics
SGP02N120 SGP02N120 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
6.2 А
Импульсный ток коллектора макс.:
9.6 А
Макс. рассеиваемая мощность:
62 Вт
Переключаемая энергия:
220 мкДж
SGP02N120XKSA1 SGP02N120XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А, 62000 мВт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
6.2A
Макс. рассеиваемая мощность:
62W
SGP07N120XKSA1 SGP07N120XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 16.5 А, 125 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
16.5 А
Импульсный ток коллектора макс.:
27 А
Макс. рассеиваемая мощность:
125 Вт
Переключаемая энергия:
1 мДж
SGP15N120XKSA1 SGP15N120XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
52 А
Макс. рассеиваемая мощность:
198 Вт
Переключаемая энергия:
1.9 мДж
SGP23N60UFDTU SGP23N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
23 А
Импульсный ток коллектора макс.:
92 А
Макс. рассеиваемая мощность:
100 Вт
Переключаемая энергия:
115 мкДж
SGS10N60RUFDTU SGS10N60RUFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 55 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
16 А
Импульсный ток коллектора макс.:
30 А
Макс. рассеиваемая мощность:
55 Вт
Переключаемая энергия:
141 мкДж
SGS23N60UFDTU SGS23N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А, 73 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
23 А
Импульсный ток коллектора макс.:
92 А
Макс. рассеиваемая мощность:
73 Вт
Переключаемая энергия:
115 мкДж
SGT25U120FD1P7 SGT25U120FD1P7 TO-247-3 IGBTs ROHS
Производитель:
Silan Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
SGT40U120FD1P7
Производитель:
Silan Microelectronics
SGW15N120 SGW15N120 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 15 А, 198 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
SGW30N60HS SGW30N60HS Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 41 А, 250 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
41A
Макс. рассеиваемая мощность:
250W
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
62 шт
Цена от:
от 428,76
Акция
SGW50N60HS SGW50N60HS Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 416 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
100 А
Импульсный ток коллектора макс.:
150 А
Макс. рассеиваемая мощность:
416 Вт
Переключаемая энергия:
1.96 мДж
SIGC100T60R3EX1SA1
Производитель:
Infineon Technologies
SK70KQ12 Биполярный транзистор IGBT
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
SK75MLI066T Trans IGBT Module 600V 83A
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
SKB02N120ATMA1 SKB02N120ATMA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 6.2 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200V
Макс. ток коллектора:
6.2A
Макс. рассеиваемая мощность:
62W
SKHI10/17R IGBT Driver
Производитель:
Semikron Elektronik GmbH
На странице:

Биполярный транзистор с изолированным затвором, по сути, представляет собой каскадное включение двух транзисторов полевого на входе и биполярного на выходе, применяется, в основном, как мощный ключ в импульсных источниках питания, инверторах и системах управления электрическим приводом.

БТИЗ транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (сокращенно — БТИЗ, на английском языке — IGBT) — силовой трехэлектродный полупроводниковый прибор, сочетающий в себе два транзистора на основе одной полупроводниковой структуры. Как правило, он используется в качестве мощного электронного ключа в импульсных источниках питания, а также инверторах. Широкое применение они также нашли в системах управления электрическими приводами, импульсных регуляторах тока, частотно-регулируемых приводах.

Характеристики

Любой электронный прибор, в том числе биполярные транзисторы с изолированным затвором выбирается на основе технических характеристик, которыми он обладает для того, чтобы реализовать возложенные на него задачи. В частности, для БТИЗ транзисторов важными характеристиками являются мощность, рабочее напряжение, рабочая температура, ток, частота. Соответственно, конкретную модель следует выбирать на основании информации из справочника. Кроме этого, можно воспользоваться каталогом на сайте группы компаний «Промэлектроника», где в широком ассортименте представлены биполярные транзисторы с изолированным затвором. Здесь вы можете недорого купить IGBT транзисторы.

Преимущества компании

Группа компаний «Промэлектроника» обладает следующими преимуществами:

  • большой выбор БТИЗ транзисторов, а также другой техники и элементов для производства электронного оборудования;
  • доставка по территории Российской Федерации;
  • продажа товаров оптом и в розницу;
  • помощь в подборе оборудования;
  • гарантия производителя на все представленные товары;
  • различные формы оплаты;
  • приемлемые цены.

Сделайте заказ по телефону, указанному на сайте. В случае возникновения затруднений менеджеры помогут вам.

Цена на IGBT (БТИЗ) транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить IGBT (БТИЗ) транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на IGBT (БТИЗ) транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть IGBT (БТИЗ) транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку во все регионы России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе IGBT (БТИЗ) транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"