HGTG30N60B3D, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 208Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
HGTG30N60B3D
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
60 А
Импульсный ток коллектора макс.:
220 А
Макс. рассеиваемая мощность:
208 Вт
Переключаемая энергия:
550 мкДж
Цена от:
164,41 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание HGTG30N60B3D
Характеристики
| Структура | n-канал |
|---|---|
| Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 60 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.45 |
| Управляющее напряжение,В | 5 |
| Мощность макс.,Вт | 208 |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Температурный диапазон,С | -55…150 |
| Корпус | to-247 |
Полезная информация
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка HGTG30N60B3D , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60 А, 208Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара