IRG7PH35UPBF, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 55 А
Цена от:
293,24 руб.
-
1+ 3+ 5+ 9+ 17+315,37 ₽ 311,82 ₽ 307,42 ₽ 301,65 ₽ 293,24 ₽Срок:В наличииНаличие:94Минимум:1Количество в заказ
-
15+ 26+ 150+425,04 ₽ 417,95 ₽ 393,16 ₽Срок:7 днейНаличие:150Минимум:Мин: 15Количество в заказ
Технические параметры
Описание IRG7PH35UPBF
Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники.
Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF, IRG7PH46UPBF и также аналогичные приборы со встроенным диодом с малым временем восстановления. Новое семейство сверхбыстрых 1200 В транзисторов разработано на основе Trench технологии с плоской подложкой Field-Stop, которая позволяет значительно сократить потери на переключение и проводимость для повышения плотности мощности и эффективности работы на высоких частотах. Транзисторы также оптимизированы для применений, не требующих защиты от короткого замыкания, таких как UPS, солнечные инвертеры, сварочное оборудование, и дополняют линейку продукции IR для управления приводами со стойкостью к воздействию тока короткого замыкания в течение 10 мс.
Линейка транзисторов охватывает диапазон токов 20-40 А для корпусированных приборов и до 150 А для кристаллов. Ключевыми преимуществами IGBT является квадратная область безопасной работы (RBSOA), положительный температурный коэффициент напряжения насыщения коллектор-эмиттер (VCEon), малое напряжение насыщения VCEon для уменьшения мощности рассеивания и повышения плотности энергии.
Характеристики
| Структура | n-канал |
|---|---|
| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 55 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.2 |
| Управляющее напряжение,В | 6 |
| Мощность макс.,Вт | 210 |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Температурный диапазон,С | -55…175 |
| Корпус | to247ac |
