FDN337N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2,2А 0.054 Ом, 0.5Вт
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
6,36 руб.
-
1+ 149+ 297+ 594+ 1187+12,37 ₽ 10,81 ₽ 9,58 ₽ 8,55 ₽ 7,76 ₽Срок:В наличииНаличие:3 000Минимум:25Количество в заказ
-
1+ 149+ 297+ 594+ 1187+12,37 ₽ 10,81 ₽ 9,58 ₽ 8,55 ₽ 7,76 ₽Срок:В наличииНаличие:29Минимум:5Количество в заказ
-
51+ 82+ 412+ 825+ 4174+14,50 ₽ 14,06 ₽ 13,39 ₽ 13,16 ₽ 12,38 ₽Срок:5 днейНаличие:4 174Минимум:Мин: 51Количество в заказ
-
1163+ 1702+ 3388+7,56 ₽ 6,52 ₽ 6,36 ₽Срок:25 днейНаличие:15 000Минимум:Мин: 1 163Количество в заказ
Технические параметры
Описание FDN337N
FDN337N является N-канальным полевым транзистором уровня логики с режимом обогащения в корпусе SOT-23 от компании Fairchild. Этот транзистор производится с использованием запатентованной технологией DMOS высокой плотности элементов. Процесс с очень высокой плотностью специально адаптирован для минимизации сопротивления в активном состоянии для устройств с низким напряжением вроде портативных компьютеров, портативных телефонов, PCMCIA-карт и других схем с автономным питанием, где необходимы быстрое переключение и низкие потери мощности в линии маленьком корпусе поверхностного монтажа.
• Высокая плотность элемента для низкого уровня Rds(on)
• Исключительное сопротивление в активном состоянии и возможность максимального DC
• Напряжение сток-исток (Vds) 30В
• Напряжение затвор-исток ±8В
• Низкое сопротивление в открытом состоянии 365мОм при Vgs 4.5В
• Непрерывный ток стока 2.2А
• Максимальное рассеивание мощности 500мВт
• Диапазон рабочей температуры перехода от -55°C до 150°C
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.065 ом при 2.2a, 4.5в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Крутизна характеристики, S | 13 |
| Корпус | sot23 |
| Вес, г | 0.05 |
