GT50JR22, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт
Цена от:
121,62 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 75+ 125+ 225+ 450+153,27 ₽ 143,38 ₽ 135,70 ₽ 130,55 ₽ 126,03 ₽Срок:В наличииНаличие:4 750Минимум:2Количество в заказ
-
1+ 75+ 125+ 225+ 450+153,27 ₽ 143,38 ₽ 135,70 ₽ 130,55 ₽ 126,03 ₽Срок:В наличииНаличие:637Минимум:2Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 75+ 125+ 225+ 450+153,27 ₽ 143,38 ₽ 135,70 ₽ 130,55 ₽ 126,03 ₽Срок:В наличииНаличие:110Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
7+ 42+ 83+ 167+ 1839+140,59 ₽ 133,90 ₽ 131,66 ₽ 123,85 ₽ 121,62 ₽Срок:5 днейНаличие:1 839Минимум:Мин: 7Количество в заказ
-
5+ 38+ 75+ 376+ 2000+296,94 ₽ 291,99 ₽ 274,67 ₽ 269,72 ₽ 264,77 ₽Срок:7 днейНаличие:2 000Минимум:Мин: 5Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание GT50JR22
IGBT Discretes, Toshiba
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 50 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 100 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.55 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 230 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 250 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 330 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
| Корпус | to-3p(n) |
| Вес, г | 6.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка GT50JR22 , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 351 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2363 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1574 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 733 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 832 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара