IKW40N120H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 483 Вт
Цена от:
218,16 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 15+ 30+ 60+ 120+269,55 ₽ 251,43 ₽ 238,08 ₽ 227,48 ₽ 218,16 ₽Срок:В наличииНаличие:887Минимум:2Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 15+ 30+ 60+ 120+269,55 ₽ 251,43 ₽ 238,08 ₽ 227,48 ₽ 218,16 ₽Срок:В наличииНаличие:34Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
6+ 22+ 50+268,81 ₽ 256,01 ₽ 251,74 ₽Срок:7 днейНаличие:50Минимум:Мин: 6Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IKW40N120H3FKSA1
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 16.03мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | Infineon |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 1200 В |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 80 A |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Максимальное рассеяние мощности | 483 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Минимальная рабочая температура | -40 °C |
| Ширина | 5.16мм |
| Высота | 21.1мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 16.03 x 5.16 x 21.1мм |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Тип канала | N |
| Вес, г | 7.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка IKW40N120H3FKSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 483 Вт
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 351 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2363 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1574 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 733 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 832 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара