SI2312CDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6A

Код товара: 232199

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI2312CDS-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
31.8 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

20В

Ток стока макс.

6A

Сопротивление открытого канала

31.8 мОм

Мощность макс.

2.1Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

18нКл

Входная емкость

865пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

SOT-23-3 (TO-236)

Вес брутто

0.035 г.

Описание SI2312CDS-T1-GE3

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SI2312CDS-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
от 1 раб. дня
от 136
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.