to247

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
to247 (1330)
STGW20V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А
Производитель:
ST Microelectronics
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
40 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
167 Вт
Переключаемая энергия:
200 мкДж
Наличие:
0 шт

Под заказ:
360 шт
Цена от:
от 301,31
STW13NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1KВ 13А 350Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
350Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
266нКл
Входная емкость:
6000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
180 шт
Цена от:
от 640,25
RJH60F5DPQ Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 260 Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
260W
Наличие:
0 шт

Под заказ:
100 шт
Аналоги:
2 203 шт
Цена от:
от 718,62
WMJ80N65C4
Производитель:
Wayon
Наличие:
0 шт

Под заказ:
305 шт
Цена от:
от 398,62
WMJ28N60C4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 600В, ток стока 23А
Производитель:
Wayon
Наличие:
0 шт

Под заказ:
690 шт
Цена от:
от 106,19
WMJ10N80D1
Производитель:
Wayon
Наличие:
0 шт

Под заказ:
2 370 шт
Цена от:
от 53,23
YJD206520NCTGH
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Наличие:
0 шт

Под заказ:
359 шт
Цена от:
от 497,42
IKW25N120T2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 349 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
50 А
Импульсный ток коллектора макс.:
100 А
Макс. рассеиваемая мощность:
349 Вт
Переключаемая энергия:
2.9 мДж
Наличие:
973 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 227,68
IKW30N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60А, 187 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
60A
Макс. рассеиваемая мощность:
187W
Наличие:
622 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 103,28
IKW15N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
30 А
Импульсный ток коллектора макс.:
60 А
Макс. рассеиваемая мощность:
217 Вт
Переключаемая энергия:
1.55 мДж
Наличие:
457 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 253,46
IKW50N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 100 А, 333 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600 В
Макс. ток коллектора:
100 А
Импульсный ток коллектора макс.:
200 А
Макс. рассеиваемая мощность:
333 Вт
Переключаемая энергия:
2.36 мДж
Наличие:
372 шт

Под заказ:
230 шт
Цена от:
от 202,64
IKW50N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 333 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
80A
Макс. рассеиваемая мощность:
333W
Наличие:
293 шт

Под заказ:
180 шт
Цена от:
от 313,04
IRF100P219XKMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 304А туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
304А
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
179 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 309,92
G5S12020BM Диод Шоттки 1200В 20А
Производитель:
Global Power Technolgy
Обратное напряжение:
1200В
Прямой ток:
20 А
Наличие:
60 шт

Под заказ:
74 шт
Цена от:
от 302,66
IRF100P218XKMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 462А туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
462А
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
11 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 412,30